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通过RF耦合结构对等离子体形成的控制制造技术
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文档序号:37489524
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等离子体形成装置可以包括一个或更多个耦合端口以接收射频(RF)电流。该装置可额外包括一个或更多个耦合结构,其可包括一个或更多个导电回路以允许该RF电流从该一个或更多个耦合端口中的至少第一端口传导至该一个或更多个耦合端口中的至少第二端口。该一...
该专利属于朗姆研究公司所有,仅供学习研究参考,未经过朗姆研究公司授权不得商用。
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