等离子体工艺处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种等离子体工艺处理装置。该装置包括：射频电源，射频电源用于提供射频信号；真空腔体，真空腔体内设有第一电极板和第二电极板，第一电极板用于与射频电源电连接；真空腔体的第一目标腔壁用于与地端电连接；第二电极板与第一目标腔壁间隔设置以形成夹层；其中，第二电极板至少包括第一子电极板和第二子电极板；调节层，第一子调节层设置于第一子电极板与第一目标腔壁之间的夹层，第二子调节层设置于第二子电极板与第一目标腔壁之间的夹层，第一子调节层用于调节第一子电极板与第一目标腔壁之间的电容量，第二子调节层用于调节第二子电极板与第一目标腔壁之间的电容量。本申请实施例能够提高电极板等离子体的均一性。的均一性。的均一性。

【技术实现步骤摘要】
等离子体工艺处理装置


[0001]本专利技术涉及等离子体
，尤其涉及一种等离子体工艺处理装置。

技术介绍

[0002]等离子体(plasma)：是除固体、液体、气体之外的第四种物质状态，主要是由气体在高电磁场作用下发生电离，形成一种包括电子、正负离子、自由基和中性气体分子组成的高活性物质。
[0003]相关技术中，通过等离子体工艺处理装置激发气体生成等离子体。其中，等离子体工艺处理装置包括激发电源和用于生成电场的电极板。但由于受趋肤效应等因素的影响，当出现等离子体工艺处理装置尺寸较大、激发电源提供的射频频率较高时，电极板中心部位的电场强度将高于边缘部位的电场强度，从而造成设置于电极板上的基板的中心部位等离子体密度大于边缘部位的等离子密度，进而对基板的镀膜、蚀刻等造成影响，并且当基板为方形时该影响会加剧。因此，如何提高等离子体密度的均匀性成了大尺寸工艺处理装置亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种等离子体工艺处理装置，能够提高电极板本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.等离子体工艺处理装置，其特征在于，包括：射频电源，所述射频电源用于提供射频信号；真空腔体，所述真空腔体内设有第一电极板和第二电极板，所述第一电极板用于与所述射频电源电连接，所述第二电极板与所述第一电极板平行设置；所述真空腔体的第一目标腔壁用于与地端电连接，所述第一目标腔壁为真空腔壁中靠近所述第二电极板的腔壁；所述第二电极板与所述第一目标腔壁间隔设置以形成夹层；其中，所述第二电极板至少包括第一子电极板和第二子电极板；调节层，所述调节层至少包括第一子调节层和第二子调节层，所述第一子调节层设置于所述第一子电极板与所述第一目标腔壁之间的夹层，所述第二子调节层设置于所述第二子电极板与所述第一目标腔壁之间的夹层，所述第一子调节层用于调节所述第一子电极板与所述第一目标腔壁之间的电容量，所述第二子调节层用于调节所述第二子电极板与所述第一目标腔壁之间的电容量。2.根据权利要求1所述的等离子体工艺处理装置，其特征在于，第一子调节层包括第一绝缘层，所述第一绝缘层的材料为第一绝缘材料；所述第二子调节层包括第二绝缘层，所述第二绝缘层的材料为第二绝缘材料；其中，所述第一绝缘材料与所述第二绝缘材料不同。3.根据权利要求2所述的等离子体工艺处理装置，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度不同。4.根据权利要求2所述的等离子体工艺处理装置，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓军，邵寿濳，朱新华，龚文志，
申请(专利权)人：深圳市矩阵多元科技有限公司，
类型：发明
国别省市：