气体输送装置、气体输送系统和等离子体处理装置制造方法及图纸

本公开提供了一种气体输送装置、气体输送系统和等离子体处理装置。该气体输送装置用于向处理腔室的沿其周向分布的边缘区域输送工艺气体，该气体输送装置包括：第一进气单元，包括多个沿其周向分布的气体通道并配置为分别向处理腔室输送工艺气体；第二进气单元，与第一进气单元配合，并包括多个延伸至第一进气单元的进气管道，其中，所述进气管道与所述气体通道连通。此外，该气体输送装置还包括第一控制单元，配置为控制经由各进气管道输送至处理腔室的工艺气体的流速。根据本公开的气体输送装置能够提高进气的均匀性。装置能够提高进气的均匀性。装置能够提高进气的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
气体输送装置、气体输送系统和等离子体处理装置


[0001]本公开涉及半导体处理领域，尤其涉及用于例如向处理腔室中的工件输送气体的气体输送装置和气体输送系统以及包含处理腔室的等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]等离子处理装置通常要输入刻蚀气体并通过将工艺气体(例如，刻蚀气体)电离为等离子体以实现对工件(例如，晶圆)的刻蚀处理。而刻蚀气体在等离子体装置内部的分布均匀性对工件(例如，晶圆)的刻蚀结果(例如，刻蚀形貌的一致性)起到了关键作用。

技术实现思路

[0003]本公开的实施例的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可以从描述中得知，或者可以通过实施例的实践得知。
[0004]本公开的一个示例性方面涉及一种气体输送装置，该气体输送装置配置为向处理腔室的沿其周向分布的边缘区域输送工艺气体，所述气体输送装置包括：第一进气单元，包括多个沿所述周向分布的气体通道，并配置为分别向所述处理腔室输送所述工艺气体；第二进气单元，与所述第一进气单元配合，并包括多个延伸至所述第一进气单元的进气管道，其中，所述进气管道与所述气体通道连通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.气体输送装置，配置为向处理腔室的沿其周向分布的边缘区域输送工艺气体，所述气体输送装置包括：第一进气单元，包括多个沿所述周向分布的气体通道，并配置为分别向所述处理腔室输送所述工艺气体；第二进气单元，与所述第一进气单元配合，并包括多个延伸至所述第一进气单元的进气管道，其中，所述进气管道与所述气体通道连通；以及第一控制单元，配置为控制经由各进气管道输送至所述处理腔室的所述工艺气体的流速。2.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述第一控制单元还配置为：根据所述处理腔室的中心区域与所述边缘区域的所述工艺气体的浓度的差值，调整经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速。3.根据权利要求2所述的气体输送装置，其中，所述处理腔室内置有工件，所述第一控制单元还配置为：通过调整经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速，减小所述工件的边缘部分与中心部分接收的所述工艺气体的浓度的差值，其中，所述工件的边缘部分位于所述边缘区域，所述工件的中心部分位于所述中心区域。4.根据权利要求2所述的气体输送装置，其中，所述第一控制单元还配置为：响应于所述处理腔室的中心区域与所述边缘区域的所述工艺气体的浓度的差值大于阈值，提高经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速。5.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述第一控制单元还配置为：控制经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速至少部分不同。6.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述第一控制单元还配置为控制经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的种类至少部分不同。7.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述气体通道的径向宽度沿所述工艺气体的传输方向逐渐减小。8.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述第一进气单元还包括：多个喷射件，与对应的所述气体通道连通，并配置为向所述处理腔室喷射所述工艺气体。9.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述第一进气单元与第二进气单元的配合界面包括多个第一配合区域，所述第一配合区域靠近所述进气管道与所述气体通道的连通处，以及所述气体输送装置还包括：第一密封件，设置于所述第一配合区域，用于密封所述进气管道与所述气体通道的连通处。10.根据权利要求8所述的气体输送装置，其中，所述第一进气单元与第二进气单元的配合界面包括多个第二配合区域，所述第二配合区域靠近所述气体通道与所述喷射件连通的连通处；以及所述气体输送装置还包括：第二密封件，设置于所述第二配合区域，用于密封所述气体通道与所述喷射件的连通处。11.根据权利要求1所述的气体输送装置，其中，所述气体输送装置还包括：
至少两个输送管线，与所述进气管道连通，其中，所述第一控制单元包括：至少两个控制阀，对应设置于每个输送管线的入口端，并配置为控制所述工艺气体在所述输送管线中传输的通断；以及至少两个流量控制器，对应设置于每个输送管线的入口端，并配置为控制所述工艺气体在所述输送管线中的流速。12.根据权利要求11所述的气体输送装置，其中，所述第一控制单元还配置为根据所述处理腔室的中心区域与所述边缘区域的所述工艺气体的浓度的差值，控制所述控制阀和所述流量控制器中的至少一个，以调整经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速。13.气体输送系统，包括：第一气体输送装置，配置为向处理腔室的沿其周向分布的边缘区域输送工艺气体，其中，所述第一气体输送装置包括：第一进气单元，包括多个沿所述周向分布的气体通道，并配置为分别向所述处理腔室输送所述工艺气体；以及第二进气单元，与所述第一进气单元配合，并包括多个延伸至所述第一进气单元的进气管道，其中，所述进气管道与所述气体通道连通；以及第二气体输送装置，配置为向所述处理腔室的中心区域输送所述工艺气体。14.根据权利要求13所述的气体输送系统，还包括：控制系统，配置为控制经由所述第一气体输送装置向所述处理腔室的边缘区域输送的所述工艺气体的流速。15.根据权利要求14所述的气体输送系统，其中，所述控制系统还配置为：控制经由所述第二气体输送装置向所述处理腔室的中心区域输送的所述工艺气体的流速。16.根据权利要求14所述的气体输送系统，其中，所述控制系统配置为：根据所述处理腔室的中心区域与所述边缘区域的所述工艺气体的浓度的差值，调整经由各进气管道输送至所述边缘区域的所述工艺气体的流速。17.根据权利要求16所述的气体输送系统，其中，所述处理腔室内置有工件...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新云，管长乐，王春雷，
申请(专利权)人：北京屹唐半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：