等离子体监测装置和等离子体处理装置制造方法及图纸

本申请公开一种等离子体监测装置和等离子体处理装置。该等离子体监测装置包括：流量控制部分，包括从等离子体发射的发射光通过其被引入或排出的第一端口以及从等离子体发射的发射光通过其被排出或引入并且具有与第一端口的形状不同的形状的第二端口；透明玻璃窗，延伸到流量控制部分并且使发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到透明玻璃窗并且检测发射光的强度。检测发射光的强度。检测发射光的强度。

【技术实现步骤摘要】
等离子体监测装置和等离子体处理装置


[0001]实施例总体上提供等离子体监测装置和包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。

技术介绍

[0002]一般来说，等离子体是指由离子、电子和自由基等组成的电离气体状态。等离子体可以由非常高的温度、强电场或射频电磁场(RF)产生。
[0003]等离子体处理装置可以是用于将等离子体状态的反应材料沉积在基板上或者使用等离子体状态的反应材料清洁、灰化或蚀刻基板的装置。等离子体处理装置可以包括安装在处理室中以安置基板的下电极以及安装在处理室的上部中以面对下电极的上电极。
[0004]近来，随着使用等离子体的工艺的难度增大，用于监测等离子体的状态的技术的重要性正在增加，以便精确地控制等离子体处理工艺。因此，对用于监测在等离子体处理工艺中使用的等离子体的状态的技术的研究正在继续。

技术实现思路

[0005]实施例提供用于观察等离子体分布的等离子体监测装置。
[0006]实施例提供包括该等离子体监测装置的等离子体处理装置。
[0007]根据本公开的实施例的等离子体监测装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体监测装置，包括：流量控制部分，包括：第一端口，从等离子体发射的发射光通过所述第一端口被引入或排出；和第二端口，从所述等离子体发射的所述发射光通过所述第二端口被排出或引入，并且所述第二端口具有与所述第一端口的形状不同的形状；透明玻璃窗，连接到所述流量控制部分并使所述发射光穿过；以及光谱装置，通过光纤光连接到所述透明玻璃窗，并且检测所述发射光的辐射强度。2.根据权利要求1所述的等离子体监测装置，其中，所述第一端口包括：第一管结构，具有第一内径；和第二管结构，连接到所述第一管结构并且具有不同于所述第一内径的第二内径，并且所述第二端口包括：第三管结构，具有第三内径；和第四管结构，连接到所述第三管结构并且具有不同于所述第三内径的第四内径。3.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第二内径大于所述第一内径，并且所述第四内径大于所述第三内径。4.根据权利要求3所述的等离子体监测装置，其中，所述第一端口是所述发射光通过其被引入的输入端口，并且所述第二端口是所述发射光通过其被排出的输出端口。5.根据权利要求3所述的等离子体监测装置，其中，所述第一管结构在所述发射光的行进方向上的长度短于所述第三管结构在所述行进方向上的长度。6.根据权利要求3所述的等离子体监测装置，其中，所述第一内径和所述第三内径彼此相等，并且所述第二内径和所述第四内径彼此相等。7.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第二内径大于所述第一内径，并且所述第三内径大于所述第四内径。8.根据权利要求7所述的等离子体监测装置，其中，所述第二端口是所述发射光通过其被引入的输入端口，并且所述第一端口是所述发射光通过其被排出的输出端口。9.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第一内径大于所述第二内径，并且所述第四内径大于所述第三内径。10.根据权利要求2所述的等离子体监测装置，其中，所述第二内径大于所述第一内径，所述第四内径大于所述第三内径，并且所述第三内径大于所述第一内径。11.根据权利要求1所述的等离子体监测装置，其中，所述第一端口包括：第一管结构，具有第一内径；和第二管结构，连接到所述第一管结构并且具有所述第一内径，并且所述第二端口包括：第三管结构，具有第三内径；和第四管...

【专利技术属性】
技术研发人员：金仁教，郑石源，李殷守，朱儇佑，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：