用于光刻胶沉积的设备设计制造技术

在一个实施方式中，公开了一种半导体处理工具。在一个实施方式中，半导体处理工具包括腔室和穿过该腔室的表面的可移位柱。在一个实施方式中，该柱包括底板、底板之上的绝缘层、绝缘层之上的基座，和围绕接地板、绝缘体和基座的周边的边缘环。在一个实施方式中，在边缘环与基座之间提供流体路径。与基座之间提供流体路径。与基座之间提供流体路径。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于光刻胶沉积的设备设计
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请主张2021年7月13日提交的美国非临时申请第17/374558号的优先权，该美国非临时申请第17/374558号主张2020年8月13日提交的美国临时申请第63/065,278号的权益，通过引用将它们的全部内容并入本文。


[0003]本公开内容的多个实施方式属于半导体处理领域，并且具体而言关于用于以气相工艺将光刻胶沉积到基板上的处理工具。

技术介绍

[0004]平版印刷术已经在半导体行业中用于在微电子装置中创建2D和3D图案达数十年。平版印刷工艺涉及膜(光刻胶)的旋涂沉积，通过能量源(曝光)用选定的图案照射膜，和通过溶于溶剂中移除(蚀刻)膜的被曝光(正色调)或未曝光(负色调)区域。将进行烘烤(bake)以驱除残留的溶剂。
[0005]光刻胶应该是辐射敏感材料，并且在照射时，在膜的曝光部分中发生化学转变，此实现了曝光区域与非曝光区域之间的溶解度变化。使用此种溶解度变化，光刻胶的曝光区域或非曝光区域被移除(被蚀刻)。现在对光刻胶进行显影，并且可以通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体处理工具，包括：腔室；可移位柱，所述可移位柱穿过所述腔室的表面，其中所述柱包括：底板；绝缘层，所述绝缘层在所述底板之上；基座，所述基座在所述绝缘体层之上；和边缘环，所述边缘环围绕所述接地板、所述绝缘体和所述基座的周边，其中在所述边缘环与所述基座之间提供流体路径。2.如权利要求1所述的半导体处理工具，进一步包括：阴影环，所述阴影环在所述边缘环之上。3.如权利要求2所述的半导体处理工具，其中所述阴影环具有居中突起，所述居中突起与所述边缘环中的居中凹口接口连接。4.如权利要求1所述的半导体处理工具，其中所述基座包括多个通道，所述多个通道被构造为在所述基座中循环冷却剂，所述冷却剂将晶片温度保持在介于约
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40℃与约200℃之间。5.如权利要求1所述的半导体处理工具，进一步包括：通道，所述通道设置在所述底板的表面中，其中所述通道流体耦接至所述流体路径。6.如权利要求1所述的半导体处理工具，进一步包括：垫圈，所述垫圈在所述边缘环与所述接地板之间。7.如权利要求1所述的半导体处理工具，其中所述流体路径的宽度是约1mm或更小。8.如权利要求1所述的半导体处理工具，其中所述基座是双极卡盘、单极卡盘、或真空卡盘。9.如权利要求1所述的半导体处理工具，进一步包括：喷头组件，所述喷头组件在所述柱上方。10.如权利要求1所述的半导体处理工具，其中所述喷头组件电耦合至RF源。11.如权利要求1所述的半导体处理工具，其中所述底板是接地的。12.如权利要求11所述的半导体处理工具，其中所述基座耦合至RF偏置源和/或DC偏置源。13.一种用于在半导体处理工具中保持基板的组件，其中所述组件包括：底板；绝缘层，所述绝缘层在所述底板之上...

【专利技术属性】
技术研发人员：法扎德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：