一种超导腔等离子体清洗气路装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种超导腔等离子体清洗气路装置及其使用方法，包括连接在超导腔两端的上游气路系统和下游气路系统，给超导腔提供等离子体清洗所需的高纯惰性气体和高纯氧气，在等离子体清洗开始前，利用超导腔上游气路系统的快速充气机构和下游气路系统的洗气辅助联通机构对气路的每一节进行彻底的洗气处理；在等离子体清洗过程中，利用超导腔上游的上游气路系统和下游的下游气路系统为超导腔等离子体清洗提供特定压强及配比的高纯气体，并同时监测等离子体清洗中反应气体的生成；在等离子体清洗结束后，利用超导腔上游气路系统的快速充气机构使气路内气体压强快速从负压状态恢复至常压状态，便于之后的气路系统拆卸和更换超导腔。超导腔。超导腔。

【技术实现步骤摘要】
一种超导腔等离子体清洗气路装置及其使用方法


[0001]本专利技术涉及超导腔的等离子体清洗
，具体为一种超导腔等离子体清洗气路装置及其使用方法。

技术介绍

[0002]超导腔等离子体清洗技术是目前国际上最为热门的改善超导腔场致发射效应的先进技术，其原理是往超导腔中通入一定比例关系的高纯惰性气体(例如：氩气或氖气)和高纯氧气，在超导腔的电磁场环境中高纯气体解离为自由电子、正一价惰性气体离子以及活性氧原子等，其中惰性气体离子对超导腔壁产生碰撞刻蚀，从而去除可能诱发场致发射效应的腔壁毛刺以及一些污染物质，活性氧原子则会跟腔壁的碳氢污染物发生化学作用而产生气体如CO，CO2及H2O等，而超导腔下游的泵组会将清洗过程中的生成物质从腔内抽走，消除腔壁毛刺和净化腔壁的碳氢污染均可有效抑制超导腔发生场致发射效应，显著提高超导腔的工作稳定性。
[0003]等离子体清洗的气路系统中包含气体压强调控仪器、气体压强监测仪器、过滤器、抽气泵组及各种阀门等功能元件，装置复杂且接口繁多，当前的等离子体清洗气路装置普遍存在以下问题：(1)外界空气漏入气路系统不可本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：包括连接在超导腔(3)两端的上游气路系统(1)和下游气路系统(2)，为上游气路系统(1)与下游气路系统(2)之间的超导腔(3)提供等离子体清洗所需的高纯惰性气体和高纯氧气。2.根据权利要求1所述的一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：所述上游气路系统(1)包括高纯惰性气体供给机构(4)以及高纯氧气供给机构(5)，二者的末端共同连接四通(17)，所述四通(17)的其中一路接超净过滤器(18)，所述超净过滤器(18)的末端与超导腔(3)的进气端口连接。3.根据权利要求2所述的一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：所述高纯惰性气体供给机构(4)包括设置的压缩气瓶一(41)，所述压缩气瓶一(41)的出气端接有减压阀一(42)，所述减压阀一(42)的另一端接有隔膜阀一(43)，所述隔膜阀一(43)接有气体质量流量控制器一(44)，且气体质量流量控制器一(44)的另一端接入四通(17)的一端。4.根据权利要求3所述的一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：所述高纯氧气供给机构(5)包括设置的压缩气瓶二(51)，所述压缩气瓶二(51)的出气端接有减压阀二(52)，所述减压阀二(52)的另一端接有三通(54)，所述三通(54)的其中一端口接隔膜阀二(53)，所述隔膜阀二(53)的另一端接气体质量流量控制器二(55)，三通(54)的最后一端依次接隔膜阀三(56)和可调流量针阀(57)，所述可调流量针阀(57)的出气端接入四通(17)的一端。5.根据权利要求4所述的一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：所述四通(17)与超净过滤器(18)之间连接软管，上游气路系统其余管路元件之间均通过EP洁净管连接。6.根据权利要求1所述的一种超导腔等离子体清洗气路装置，其特征在于：所述下游气路系统(2)包括与超导腔(3)连接的六通一(6)，所述六通一(6)的两端口分别接微漏阀(7)和全量程真空规(8)，所述微漏阀(7)的另一端接有六通二(9)，所述六通一(6)的一端口依次接手动角阀一(10)、机械泵(11)、手动角阀二(12)和分子泵(13)，且分子泵(13)另一端连接在六通二(9)的一端口上，所述六通一(6)的一端口接全金属阀门(14)，且全金属阀门(14)的出气端接在六通二(9)的一端，所述六通二(9)的其中两端口分别接残余气体分析仪(15)和高真空规(16)，且六通一(6)和六通二(9)的其余端口作密封处理。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：张聪，王云，刘华昌，吴小磊，陈强，李阿红，瞿培华，李波，樊梦旭，周文中，杨钥，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：发明
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