【技术实现步骤摘要】
一种提纯棒的拉制方法
[0001]本专利技术属于单晶硅制备
,尤其涉及一种提纯棒的拉制方法。
技术介绍
[0002]光伏发电具有清洁性、安全性、资源充足性等特点,单晶硅是太阳能电池的一种重要材料,其质量直接影响到半导体的质量以及太阳能电池产品的品质。
[0003]单晶硅棒是单晶硅的工业化产品之一,其是通过区熔或直拉工艺在炉膛中整形或提拉形成的;在单晶硅的生产过程中,会产生一些异常硅料,如焖炉料、单晶细粉料、多晶细粉料,这些异常硅料在单晶硅的制作过程中不能被直接应用,很多都会被报废掉,或制作多晶铸锭。
技术实现思路
[0004]在现有硅料供应需求紧张及价格逐步上涨的趋势下,为了节约硅料,本专利技术提供一种提纯棒的拉制方法。
[0005]本专利技术的技术解决方案如下:
[0006]一种提纯棒的拉制方法,包括以下步骤:
[0007]将硅料混合物填装到单晶炉内;所述硅料混合物包括单晶、焖炉料及多晶,或所述硅料混合物包括多晶、焖炉料、细粉及单晶,或所述硅料混合物包括多晶、细粉及焖炉 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种提纯棒的拉制方法,其特征在于,包括以下步骤:将硅料混合物填装到单晶炉内;所述硅料混合物包括单晶、焖炉料及多晶,或所述硅料混合物包括多晶、焖炉料、细粉及单晶,或所述硅料混合物包括多晶、细粉及焖炉料;将所述硅料混合物加热融化为硅熔体;对所述硅熔体进行引晶、放肩、转肩、等径生长,之后收尾提断并冷却,取出晶棒。2.根据权利要求1所述的提纯棒的拉制方法,其特征在于,在收尾提断后进行冷却时,先将单晶炉内的换热器进行提升,使换热器与晶棒底部的垂直距离增大,然后,再降低坩埚。3.根据权利要求1所述的提纯棒的拉制方法,其特征在于,在收尾提断后进行冷却时,所述单晶炉内换热器的下沿距离硅熔体液面的高度为250
‑
350mm。4.根据权利要求1所述的提纯棒的拉制方法,其特征在于,所述单晶炉内换热器下端口的内径d的取值范围为x+80mm至x+110mm,其中x为晶棒的尺寸。5.根据权利要求1所述的提纯棒的拉制方法,其特征在于,对所述硅熔体进行引晶、放肩、转肩、等径生长过程中,从等径生长开始至等径生长中期,所述单晶炉内换热器的下沿距离硅熔体液面的高度从30
±
5mm缩短到18
±
3mm,从等径生长中期到等径生长结束,所述换热器的下沿距离硅熔体液面的高度保持在18
±
技术研发人员:赵巍,陈铭,宋丽平,龙小娇,龙昭钦,
申请(专利权)人:四川晶科能源有限公司,
类型:发明
国别省市:
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