晶体生长炉冷却方法及系统、晶片技术方案

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，提供一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片，其中，晶体生长炉冷却方法包括：在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；向晶体生长炉中加入用于冷却晶体生长炉的埚底料，埚底料是晶体生长后剩余的硅料。如此，解决了现有技术中晶体生长炉冷却时长较长的问题，在晶体生长炉停炉后，将埚底料即回收的晶体生长剩余的硅料加入晶体生长炉中冷却晶体生长炉，由于硅料具有较高的导热系数和较大的比热容，可以使得晶体生长炉快速冷却，缩短了晶体生长炉的冷却时长，提高了冷却效率。埚底料是晶体生长所剩余的，可以就地取材，对埚底料二次利用，不需要额外的投入，可以重复使用，少投入高回报，大幅节约了成本，减少了资源浪费。了资源浪费。了资源浪费。

【技术实现步骤摘要】
晶体生长炉冷却方法及系统、晶片


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片。

技术介绍

[0002]在晶体生长炉完成晶体生长之后，需要对晶体生长炉进行冷却，以单晶硅生长为例，可以通过直拉法生长单晶硅，具体的，在晶体生长炉的热场中，将硅料熔化并浸入晶籽，经过缩颈生长、放肩生长、等径生长和收尾等工艺以后完成晶体生长得到晶棒，在晶体生长完成之后，需要对晶体生长炉进行冷却，否则晶体生长炉的热场部件取出来后会因高温而氧化，导致热场部件受损。现有技术中，在晶体生长完成停炉后，可以利用冷却水对晶体生长炉的炉筒进行自然冷却，并流入氩气冷却，但是由于氩气的导热系数小，能够带走的热量微乎其微，导致冷却时长较长。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种晶体生长炉冷却方法及系统、晶片，用以解决现有技术中晶体生长炉冷却时长较长的缺陷，实现晶体生长炉的快速冷却，提高了冷却效率。
[0004]本专利技术提供一种晶体生长炉冷却方法，包括：
[0005]在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长炉冷却方法，其特征在于，包括：在晶体生长完成后，将晶体生长炉停炉；向所述晶体生长炉中加入用于冷却所述晶体生长炉的埚底料，所述埚底料是晶体生长后剩余的硅料。2.根据权利要求1所述的晶体生长炉冷却方法，其特征在于，还包括：在向所述晶体生长炉中加入所述埚底料冷却第一时长后，将所述晶体生长炉中所有埚底料取出；将取出的所有埚底料投入加热容器中，所述加热容器用于加热水。3.根据权利要求2所述的晶体生长炉冷却方法，其特征在于，还包括：在向所述晶体生长炉中加入所述埚底料冷却第一时长后，将所述晶体生长炉的热场部件拆除。4.根据权利要求1至3任一项所述的晶体生长炉冷却方法，其特征在于，所述向所述晶体生长炉中加入用于冷却所述晶体生长炉的埚底料，包括：在将所述晶体生长炉中的晶棒取出后，向所述晶体生长炉中加入所述埚底料。5.根据权利要求4所述的晶体生长炉冷却方法，其特征在于，所述向所述晶体生长炉中加入用于冷却所述晶体生长炉的埚底料之前，还包括：在利用冷却水和惰性气体对所述晶体生长炉冷却第二时长后，将所述晶体生长炉中的晶棒取出。6.根据权利要求1至3任一项所述的晶体生长炉冷却方法，其特征在于，所述向所述晶体生长炉中加入用于冷却所述晶体生长炉的埚底料，包括：在将所述晶体生长炉的副炉室净化后，通过所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，马新成，
申请(专利权)人：三一硅能株洲有限公司，
类型：发明
国别省市：