一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法技术

本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法，其中，半导体结构的形成方法包括：提供形成有半导体器件的晶圆；在所述晶圆中形成盲孔；在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔；去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面。并平坦化所述晶圆表面。并平坦化所述晶圆表面。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方法


[0001]本申请涉及半导体
，涉及但不限于一种半导体结构及其形成方法、 晶圆键合方法。

技术介绍

[0002]在中通孔(Via Middle)工艺制程中，晶圆在硅通孔(Through Silicon Via， TSV)结构制造完成后，会进行晶圆键合。在晶圆键合过程中，晶圆表面不平 整会导致键合偏差，影响键合后晶圆的电学、热力学等性能，从而影响整个叠 层芯片的可靠性。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例提供一种半导体结构及其形成方法、晶圆键合方 法。
[0004]第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：
[0005]提供形成有半导体器件的晶圆；
[0006]在所述晶圆中形成盲孔；
[0007]在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔；
[0008]去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面。
[0009]第二方面，本申请实施例提供一种晶圆键合方法，包括：/>[0010]提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供形成有半导体器件的晶圆；在所述晶圆中形成盲孔；在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔；去除所述晶圆表面沉积的第一金属材料，并平坦化所述晶圆表面。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供形成有半导体器件的晶圆，包括：提供衬底；在所述衬底上形成所述半导体器件；其中，所述半导体器件包括存储器件及金属互连层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：在所述平坦化后的晶圆表面形成键合焊盘。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述平坦化后的晶圆表面形成键合焊盘，包括：在所述平坦化后的晶圆表面沉积硬掩膜层；图案化所述硬掩膜层，形成及所述盲孔的通孔；在所述通孔内沉积的第二金属材料，形成键合焊盘。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层材料包括氮化硅。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一金属材料与所述第二金属材料相同。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺中的至少一种在所述晶圆中形成盲孔。8.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述在所述盲孔内，沉积第一金属材料以形成硅通孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：高远皓，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：