【技术实现步骤摘要】
一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法
[0001]本专利技术涉及AMB陶瓷基板
,特别涉及一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法。
技术介绍
[0002]陶瓷覆铜板是高压大功率IGBT模块的重要组成部件,其具有陶瓷的高导热、高电绝缘、高机械强度、低膨胀等特性,又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能,且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形,特别是活性金属钎焊(Active Metal Bonding,AMB)陶瓷覆铜板具有独特的耐高低温冲击失效能力,已成为新一代半导体(SiC)和新型大功率电力电子器件的首选封装材料。
[0003]现有的AMB基板钎焊时,在高温状态下的焊料处于熔融状态,由于基板钎焊过程中是需要存在受压的关系,所以过程中的焊料会受到挤压影响,导致熔融的焊料被挤出无氧铜箔与陶瓷界面层,导致覆铜陶瓷基板边缘存在焊料溢出的现象,影响最终覆铜陶瓷基板的质量。
技术实现思路
[0004]专利技术目的:本专利技术的目的是为了解决现有技术中的不足,提供一种在AMB基板钎焊过程中阻 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法,其特征在于,具体步骤包括:S1.首先在AMB陶瓷覆铜板基板的边缘处预留出一圈陶瓷面槽体(4);S2.将AMB陶瓷覆铜板基板进行清洗、烘干处理,用于获得具有干净表面形态的陶瓷片(1),所述陶瓷片(1)作为活性钎料涂层的界面;S3.将活性钎料丝印至陶瓷片(1)的表面,使得活性焊料均匀涂布至所述陶瓷片(1)的表面,通过预烘工艺处理,通过排胶将活性钎料中的有机物进行排出,得到具有均匀活性钎料金属粉体结构的活性钎焊层(3);S4.将预先准备好的无氧铜箔(2)贴附在涂覆好活性钎料的陶瓷片(1)的表面,所述无氧铜箔(2)的规格尺寸大于陶瓷面槽体(4)的规格尺寸,所述无氧铜箔(2)覆盖于陶瓷面槽体(4)的上方,将无氧铜箔(2)定位;S5.在钎焊前以承烧板作为盖板,并摆放进入钎焊炉进行钎焊,钎焊过程中实现无氧铜箔(2)、活性钎焊层(3)和AMB陶瓷覆铜板基板充分钎焊融合;S6.受压过程中,液态活性焊料随机进行扩散,扩散路线中因陶瓷面槽体(4)的阻隔,液态活性焊料优先填充至陶瓷面槽体(4),阻隔活性焊料的扩散路线,从而阻隔焊料溢出。2.根据权利要求1所述的一种在AMB基板钎焊过程中阻隔焊料溢出的工艺方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘晓辉,谢继华,
申请(专利权)人:南通威斯派尔半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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