半导体功率器件的制备方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种半导体功率器件的制备方法和装置，其中，该方法包括以下步骤：采用覆铜工艺将第一导电金属层和第二导电金属层铺设在陶瓷层的两侧，并在铺设完成后，依次进行高温加热处理和冷却结晶处理，以获取覆铜基板，其中，第一导电金属层的厚度小于陶瓷层的厚度，陶瓷层的厚度小于第二导电金属层的厚度；采用第一焊料将覆铜基板中的第二导电金属层与散热基板相连；采用第一焊接温度将第一焊料熔化，以控制覆铜基板的弧度与散热基板的弧度相同，并在第一焊料熔化完成后，进行冷却结晶处理；将芯片连接在第一导电金属层上。由此，能够有效地防止出现焊接空洞的情况，进而大大提高了半导体功率器件的可靠性和使用寿命。提高了半导体功率器件的可靠性和使用寿命。提高了半导体功率器件的可靠性和使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
半导体功率器件的制备方法和装置


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，具体涉及一种半导体功率器件的制备方法和一种半导体功率器件的制备系统。

技术介绍

[0002]相关技术中心，在半导体功率器件的制备过程中，由于采用的覆铜基板面积较大，且覆铜基板与散热基板弧度不适配，使得在采用焊料将覆铜陶瓷基板焊接到散热基板过程中，产生长条空洞，从而影响半导体功率器件的可靠性和使用寿命。

技术实现思路

[0003]本专利技术为解决上述技术问题，提供了一种半导体功率器件的制备方法和系统，通过控制覆铜基板中第一导电金属层、第二导电金属层和陶瓷层的厚度，控制覆铜基板的弧度，使得覆铜基板的弧度与散热基板的弧度适配，从而有效地防止出现焊接空洞的情况，进而大大提高了半导体功率器件的可靠性和使用寿命。
[0004]本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一种半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：采用覆铜工艺将第一导电金属层和第二导电金属层铺设在陶瓷层的两侧，并在铺设完成后，依次进行高温加热处理和冷却结晶处理，以获取覆铜基板，其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用覆铜工艺将第一导电金属层和第二导电金属层铺设在陶瓷层的两侧，并在铺设完成后，依次进行高温加热处理和冷却结晶处理，以获取覆铜基板，其中，所述第一导电金属层的厚度小于所述陶瓷层的厚度，所述陶瓷层的厚度小于所述第二导电金属层的厚度；采用第一焊料将所述覆铜基板中的所述第二导电金属层与散热基板相连；采用第一焊接温度将所述第一焊料熔化，以控制所述覆铜基板的弧度与所述散热基板的弧度相同，并在所述第一焊料熔化完成后，进行冷却结晶处理；将所述芯片连接在所述第一导电金属层上。2.根据权利要求1所述的半导体功率器件的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：在所述覆铜基板上设置壳体，并在所述壳体内填充封装胶，以将所述芯片密封在所述壳体内。3.根据权利要求2所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘帅帅，滕正刚，张正义，麻长胜，赵善麒，
申请(专利权)人：江苏宏微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：