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本发明提供了一种半导体功率器件的制备方法和装置，其中，该方法包括以下步骤：采用覆铜工艺将第一导电金属层和第二导电金属层铺设在陶瓷层的两侧，并在铺设完成后，依次进行高温加热处理和冷却结晶处理，以获取覆铜基板，其中，第一导电金属层的厚度小于陶瓷...
该专利属于江苏宏微科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏宏微科技股份有限公司授权不得商用。

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