芯片封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术揭示了一种芯片封装结构及其制作方法，包括：芯片，具有设置有焊盘的下表面和与下表面相背的上表面，芯片上表面相对焊盘位置处设置第一凹槽，第一凹槽暴露出焊盘上表面；第一绝缘层，设置于芯片上表面侧和第一凹槽的侧表面；第一金属层，设置于第一绝缘层表面，并延伸覆盖至焊盘上表面；第二绝缘层，设置于第一金属层表面，第二绝缘层部分区域设置第二凹槽，第二凹槽暴露出第一金属层；焊接凸起，设置于第二凹槽内，焊接凸起通过第一金属层与焊盘电性连接。本发明专利技术于第一金属层上表面设置第二绝缘层，在能够保护第一金属层、防止金属迁移的情况下，减小封装结构的应力，提高封装产品的信耐性，同时提高封装结构的散热能力。同时提高封装结构的散热能力。同时提高封装结构的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种芯片封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]现代社会发展迅速，在传感器领域对分辨率的要求越来越高，摩尔定律数据屡次被刷新。堆栈式CIS(CMOS image sensor，CMOS图像传感器)由80nm级别发展到60nm级别，甚至40nm级别。CIS的线路分布越来越薄、间距越来越小，对于封装而言，堆栈芯片的焊盘结构分布有多层，厚度在100nm左右，很薄且很脆弱。
[0003]现有技术中，在芯片的封装过程中会产生应力，第一，缓冲层会对芯片焊盘产生应力，在冷热环境冲击之下，容易造成焊盘破裂；第二，封装结构中的金属层主要材质包含Ni金属，Ni本身应力较大，也很容易造成焊盘破裂。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种芯片封装结构，以减小封装过程中的应力问题，提高信耐性。
[0005]为实现上述专利技术目的，本专利技术提供一种芯片封装结构，包括：
[0006]芯片，所述芯片具有设置有焊盘的下表面和与所述下表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：芯片，所述芯片具有设置有焊盘的下表面和与所述下表面相背的上表面，所述芯片上表面相对所述焊盘位置处设置第一凹槽，所述第一凹槽暴露出所述焊盘上表面；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述芯片上表面侧和所述第一凹槽的侧表面；第一金属层，所述第一金属层设置于所述第一绝缘层表面，并延伸覆盖至所述焊盘上表面；第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第一金属层表面，所述第二绝缘层部分区域设置第二凹槽，所述第二凹槽暴露出所述第一金属层；焊接凸起，所述焊接凸起设置于所述第二凹槽内，所述焊接凸起通过所述第一金属层与所述焊盘电性连接。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一金属层材料为Al和/或Cu。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第一金属层之间部分区域处还设置缓冲层，所述缓冲层设置于所述第二凹槽正下方。4.根据权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，所述缓冲层截面面积大于所述第二凹槽的截面面积。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述焊接凸起和所述第一金属层之间还设置第二金属层，所述第二金属层为Ni、Au、Pd中的一种材料或几种材料的合金，所述第二金属层厚度为1～2μm。6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李瀚宇，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：