嵌埋器件封装基板及其制作方法技术

技术编号:37362194 阅读:16 留言:0更新日期:2023-04-27 07:10
本公开提供一种嵌埋器件封装基板及其制作方法。具体地,所述嵌埋器件封装基板,包括:线路板,包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上表面的第一线路层;芯层,覆盖在所述第一线路层上,并且所述芯层包括预置开口;器件,嵌埋于所述预置开口内;封装层,覆盖所述芯层并且填充所述芯层与所述器件之间的缝隙;以及外线路层,位于所述封装层上;其中,所述外线路层通过贯穿所述封装层的第一导通柱连接所述器件的端子并且通过贯穿所述芯层和所述封装层的第二导通柱连接所述第一线路层。第二导通柱连接所述第一线路层。第二导通柱连接所述第一线路层。

【技术实现步骤摘要】
嵌埋器件封装基板及其制作方法


[0001]本公开涉及半导体封装
,尤其涉及一种嵌埋器件封装基板及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着电子技术的日益发展,电子产品的性能要求越来越高,使得电子元件及基板线路越来越复杂;同时电子产品尺寸要求越来越小,越来越薄。因此,芯片等电子器件封装基板的高密度集成化、小型化、多功能化是必然趋势。为实现电子产品的多功能、高性能、小型化,如何高效地、低成本地将芯片等主被动器件嵌埋封装于基板内部,是目前半导体封装行业中很重要的研究方向。
[0003]现有的板级芯片封装扇出技术包括:预先制作具有矩形空腔的聚合物框架,然后将芯片嵌埋封装于矩形空腔,再通过制作再布线层连接芯片和聚合物框架。对于多层的芯片嵌埋封装基板,在上述封装的基础上,还双面进行增层制作。采样这样的技术方案,需要预先制作具有空腔的聚合物框架,加工流程更长,而且聚合物框架的空腔需要电镀牺牲铜柱后,再进行蚀刻去除牺牲铜柱,从而形成空腔,造成较大的物料成本浪费。
[0004]此外,芯片嵌埋封装的流程在整个加工流程中位置靠前,由于芯片较薄、易碎,在后续较长加工过程中,芯片报废的比例较高,而且加工流程中基板的报废也会导致芯片的浪费。

技术实现思路

[0005]有鉴于此,本公开的目的在于提出一种嵌埋器件封装基板及其制作方法。
[0006]基于上述目的,第一方面,本公开提供了一种嵌埋器件封装基板,包括:
[0007]线路板,包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上表面的第一线路层;
[0008]芯层,覆盖在所述第一线路层上,并且所述芯层包括预置开口;
[0009]器件,嵌埋于所述预置开口内;
[0010]封装层,覆盖所述芯层并且填充所述芯层与所述器件之间的缝隙;以及
[0011]外线路层,位于所述封装层上;
[0012]其中,所述外线路层通过贯穿所述封装层的第一导通柱连接所述器件的端子并且通过贯穿所述芯层和所述封装层的第二导通柱连接所述第一线路层。
[0013]第二方面,本公开提供了一种嵌埋器件封装基板的制作方法,所述制作方法包括:
[0014](a)准备线路板,所述线路板包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上表面上的第一线路层;
[0015](b)在所述第一线路层上形成粘芯介质层;
[0016](c)将器件的背面贴合在所述粘芯介质层上;
[0017](d)在所述粘芯介质层上层叠芯层,其中所述芯层包括预置开口以容纳所述器件;
[0018](e)在所述芯层上层叠封装层以封装所述器件;
[0019](f)形成连接所述器件的端子的第一导通柱和连接所述第一线路层的第二导通柱;
[0020](g)在所述封装层上形成外线路层,其中所述外线路层与所述器件的端子通过所述第一导通柱导通连接,所述外线路层与所述第一线路层通过所述第二导通柱导通连接。
[0021]从上面描述可以看出,本公开提供的嵌埋器件封装基板及其制作方法是先制作线路板,接着通过具有预置开口的芯层容纳器件,再利用封装层对所述器件进行嵌埋封装,最后形成外线路层,由于芯片等器件是在线路基板制造完成后再嵌埋封装,因此能够防止因线路基板报废而导致器件浪费,同时芯层预置开口形成简单无需牺牲铜柱,从而有效降低物料成本。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案,下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1为本公开一个实施例的嵌埋器件封装基板的结构示意图;
[0024]图2为本公开另一个实施例的嵌埋器件封装基板的结构示意图;
[0025]图3(a)~3(i)示出本公开一个实施例的嵌埋器件封装基板的制作方法的各步骤中间结构的截面示意图。
具体实施方式
[0026]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
[0027]需要说明的是,除非另外定义,本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
[0028]参照图1和图2,示出了本公开实施例提供的一种嵌埋器件封装基板的结构示意图。具体地,所述嵌埋器件封装基板包括:线路板100,其中线路板100包括第一绝缘层123和位于第一绝缘层上表面上的第一线路层131;位于第一绝缘层123和第一线路层131上的芯层134,134

,并且芯层134,134

包括预置开口;嵌埋于预置开口内的器件133;覆盖在芯层134,134

和器件133上的封装层135;以及设置在封装层135上的外线路层141,其中外线路层141通过贯穿封装层135的第一导通柱138连接器件133的端子,并且通过贯穿芯层134,134

和封装层135的第二导通柱139连接第一线路层131。
[0029]在一些实施例中,线路板100可以是多层线路基板,例如2层、3层或4层等等。如图1
和图2所示,线路板100可包括沿厚度方向层叠的第一绝缘层123和第二绝缘层113。第一绝缘层123包括位于第一绝缘层123的上表面上的第一线路层131和位于第一绝缘层123的下表面上的第二线路层121,其中第一线路层131和第二线路层121通过贯穿第一绝缘层123的第三导通柱122导通连接。第二绝缘层113包括位于第二绝缘层113的下表面上的第三线路层111,其中第三线路层111可通过贯穿第二绝缘层113的第四导通柱112导通连接第二线路层121。
[0030]第一绝缘层123的材料可包括树脂材料,例如选自由液晶高分子聚合物、BT(bismaleimide triazine)树脂、半固化预浸材(Prepreg)、ABF(Ajinomoto Build

up)薄膜、环氧树脂(expoxy)及聚酰亚胺(polyimide)树脂所组成的群组中其中之一,但本公开对此不加以限制。第二绝缘层113与第一绝缘层123可为相同或不同材质的树脂材料,本公开对此不加以限制。
[0031]本领域技术人员能够理解的,线路板100包括的绝缘层的层数不限于2层本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌埋器件封装基板,其特征在于,包括:线路板,包括第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上表面的第一线路层;芯层,覆盖在所述第一线路层上,并且所述芯层包括预置开口;器件,嵌埋于所述预置开口内;封装层,覆盖所述芯层并且填充所述芯层与所述器件之间的缝隙;以及外线路层,位于所述封装层上;其中,所述外线路层通过贯穿所述封装层的第一导通柱连接所述器件的端子并且通过贯穿所述芯层和所述封装层的第二导通柱连接所述第一线路层。2.根据权利要求1所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,还包括:在所述第一线路层上的粘芯介质层,其利用自身粘性临时固定所述器件。3.根据权利要求1所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,所述芯层包括玻纤树脂材料或金属材料。4.根据权利要求1所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,所述封装层包括无玻纤树脂材料。5.根据权利要求4所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,所述无玻纤树脂材料选自液晶高分子聚合物、BT树脂、半固化预浸材、ABF薄膜、环氧树脂及聚酰亚胺树脂中的一者或多者。6.根据权利要求1所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,所述预置开口包括第一开口和第二开口,其中所述第一开口中嵌埋所述器件,所述第二开口中设置有所述第二导通柱。7.根据权利要求1所述的嵌埋器件封装基板,其特征在于,所述线路板还包括位于所述第一绝缘层下表面的第二线路层和导通连接所述第一线路层和所述第二线路层的第三导通柱。8.一种嵌埋器件封...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈先明洪业杰黄高黄本霞林文健
申请(专利权)人:珠海越亚半导体股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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