半导体封装结构制造技术

本申请公开了一种半导体封装结构，该半导体封装结构包括封装框架，该封装框架上具有载片台，载片台上设置有芯片模组，芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分第二芯片位于第一芯片和载片台之间，第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，阴极面背向载片台。本方案可以减小芯片模组的封装面积。小芯片模组的封装面积。小芯片模组的封装面积。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构


[0001]本申请涉及半导体
，具体涉及一种半导体封装结构。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)是一种MOS场效应晶体管和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单的优点，又有功率晶体管导通压降低，通态电流大，损耗小的优点，已成为现代电力电子电路中的核心电子元器件之一，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航空航天等国民经济的各个领域。IGBT的应用对电力电子系统性能的提升起到了极为重要的作用。
[0003]由于IGBT没有反向导通的能力，目前市面上的IGBT都是通过与快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)并联封装在一起使用，以实现续流的能力。但是，对于电流超过75A的芯片，由于芯片面积较大，可能会导致IGBT和FRD无法封装到面积有限的封装框架中。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种半导体封装结构，可以减小芯片模组的封装面积。
[0005]本申请提供了一种半导体封装结构，包括封装框架，所述封装框架上具有载片台，所述载片台上设置有芯片模组，所述芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分所述第二芯片位于所述第一芯片和所述载片台之间，所述第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，所述阴极面背向所述载片台。
[0006]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一芯片上设置有第一磁性连接区，所述第二芯片上设置有第二磁性连接区，所述第一磁性连接区与所述第二磁性连接区磁性连接。
[0007]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为FRD芯片。
[0008]在本申请提供的半导体封装结构中，还包括焊盘模组和引脚模组，所述芯片模组和所述引脚模组分别与所述焊盘模组连接。
[0009]在本申请提供的半导体封装结构中，所述焊盘模组包括栅极焊盘、驱动器源极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘，所述栅极焊盘、所述驱动器源极焊盘和所述源极焊盘均与所述载片台之间具有间隔，所述漏极焊盘与所述载片台连接。
[0010]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一芯片上具有栅极压焊点和源极压焊点，所述栅极压焊点通过栅极引线与所述栅极焊盘连接，所述源极压焊点通过驱动器源极引线与所述驱动器源极焊盘连接，所述源极压焊点通过源极引线与所述源极焊盘连接。
[0011]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第二芯片的阴极面通过漏极引线与所述漏极焊盘连接。
[0012]在本申请提供的半导体封装结构中，所述引脚模组包括栅极引脚、驱动器源极引脚、源极引脚和漏极引脚，所述栅极引脚与所述栅极焊盘连接，所述驱动器源极引脚与所述驱动器源极焊盘连接，所述源极引脚与所述源极焊盘连接，所述漏极引脚与所述漏极焊盘连接。
[0013]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一磁性连接区和所述第二磁性连接区的长度均为1000um～2000um。
[0014]在本申请提供的半导体封装结构中，所述第一磁性连接区和所述第二磁性连接区的宽度均为1000um～2000um。
[0015]综上，本申请提供的半导体封装结构包括封装框架，所述封装框架上具有载片台，所述载片台上设置有芯片模组，所述芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分所述第二芯片位于所述第一芯片和所述载片台之间，所述第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，所述阴极面背向所述载片台。本方案通过将第二芯片倒装，并将第二芯片和部分第一芯片交叠在一起，从而减小芯片模组的封装面积。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本申请实施例提供的半导体封装结构的结构示意图。
[0018]图2是本申请实施例提供的IGBT芯片的结构示意图。
[0019]图3是本申请实施例提供的FRD芯片的结构示意图。
具体实施方式
[0020]这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0021]需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。
[0022]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0023]在后续的描述中，使用用于表示元件的诸如“模块”、“部件”或者“单元”的后缀仅为了有利于本申请的说明，其本身没有特定的意义。因此，“模块”、“部件”或者“单元”可以混合地使用。
[0024]在本申请的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]由于IGBT没有反向导通的能力，目前市面上的IGBT都是通过与快速恢复二极管(Fast Recovery Diode，FRD)并联封装在一起使用，以实现续流的能力。但是，对于电流超过75A的芯片，由于芯片面积较大，可能会导致IGBT和FRD无法封装到面积有限的封装模块中。
[0026]基于此，本申请实施例提供了一种半导体封装结构，以下将通过具体实施例对本申请所示的技术方案进行详细说明。需要说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优先顺序的限定。
[0027]请参阅图1
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图3，该半导体封装结构可以包括封装框架1000。其中，该封装框架1000上具有载片台100，该载片台100上设置有芯片模组10。
[0028]其中，芯片模组10包括第一芯片11和第二芯片12，部分第二芯片12位于第一芯片11和载片台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括封装框架，所述封装框架上具有载片台，所述载片台上设置有芯片模组，所述芯片模组包括第一芯片和第二芯片，部分所述第二芯片位于所述第一芯片和所述载片台之间，所述第二芯片包括相对设置的阴极面和阳极面，所述阴极面背向所述载片台。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片上设置有第一磁性连接区，所述第二芯片上设置有第二磁性连接区，所述第一磁性连接区与所述第二磁性连接区磁性连接。3.如权利要求1或2所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一芯片为IGBT芯片，所述第二芯片为FRD芯片。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括焊盘模组和引脚模组，所述芯片模组和所述引脚模组分别与所述焊盘模组连接。5.如权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，所述焊盘模组包括栅极焊盘、驱动器源极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘，所述栅极焊盘、所述驱动器源极焊盘和所述源极焊盘均与所述载片台之间具有间隔，所述漏极焊盘与所述载片...

【专利技术属性】
技术研发人员：李伟聪，文雨，姜春亮，
申请(专利权)人：深圳市威兆半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：