用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统技术方案

本申请提供一种用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统。该集成基板结构包括晶圆基板及重布线层。晶圆基板包括彼此连通的至少两层金属层，至少两层金属层包括位于顶层的微凸点阵列、及位于底层的微焊盘阵列。微凸点阵列与微焊盘阵列按照预定关系对应连接以至少形成晶圆基板的电源网络。重布线层设置于微焊盘阵列的下方，重布线层与微焊盘阵列连接并用于与外部电源连通，以将外部电源引入到微焊盘阵列中并供应至晶圆基板的电源网络。本申请的集成基板结构及晶上系统能够提高电源的完整性。基板结构及晶上系统能够提高电源的完整性。基板结构及晶上系统能够提高电源的完整性。

【技术实现步骤摘要】
用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统


[0001]本申请涉及晶圆
，尤其涉及一种用于晶上系统的集成基板结构及晶上系统。

技术介绍

[0002]随着集成电路的迅速发展，高阶工艺节点逐步逼近物理极限，摩尔定律逐步放缓，因此研究人员开始向更多方向进行探索，采用晶上系统是IC设计的主流趋势之一。Cerebras公司采用晶上系统相关技术发布了晶圆级人工智能训练芯片Wafer Scale Engine(WSE)，Tesla同样采用晶上系统相关技术研制了AI训练芯片Dojo。晶上系统技术可以采用更短的引线、在更低的功耗下实现更高的性能和带宽。随着电子器件功能的日益复杂和性能的提高，晶圆基板上集成芯片的密度和相关器件的频率都不断提高，因而所面临的高速高密度晶圆基板设计所带来的各种挑战也不断增加。除大家熟知的信号完整性问题之外，电源完整性问题也是高速高密度晶圆基板的重要问题。
[0003]在高速系统中，电源传输系统在不同频率上，阻抗特性不同，使晶圆基板上电源平面与接地平面间的电压在晶圆基板的各处不尽相同，造成供电不连续，产生电源噪声，影响到芯片的供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于晶上系统的集成基板结构，其特征在于：包括：晶圆基板，包括彼此连通的至少两层金属层，至少两层所述金属层包括位于顶层的微凸点阵列、及位于底层的微焊盘阵列，所述微凸点阵列与所述微焊盘阵列按照预定关系对应连接以至少形成所述晶圆基板的电源网络；以及重布线层，设置于所述微焊盘阵列的下方，所述重布线层与所述微焊盘阵列连接并用于与外部电源连通，以将所述外部电源引入到所述微焊盘阵列中并供应至所述晶圆基板的所述电源网络。2.如权利要求1所述的集成基板结构，其特征在于：所述重布线层包括设于中间区域的电源管脚焊盘阵列及设于边缘区域的外部焊盘，所述电源管脚焊盘阵列与所述外部焊盘连接，所述外部焊盘用于连接至所述外部电源。3.如权利要求1所述的集成基板结构，其特征在于：所述重布线层连接至所述微焊盘阵列的中间区域。4.如权利要求3所述的集成基板结构，其特征在于：所述重布线层通过非硅通孔层连接至所述微焊盘阵列的中间区域。5.如权利要求4所述的集成基板结构，其特征在于：所述重布线层包括至少两层，至少两层所述重布线层通过非硅通孔层彼此连通。6.如权利要求1所述的集成基板结构，其特征在于：每一所述金属层具有不同线宽和线距的金属走线。7.如权利要求1所述的集成基板结构，其特征在于：至少两层所述金属层还包括一个或多个中间金属层，所述微凸点阵列通过所述一个或多个中间金属层与所述微焊盘阵列连接。8.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍婷婷，万智泉，邓庆文，张汝云，张坤，胡守雷，刘勤让，沈剑良，
申请(专利权)人：之江实验室，
类型：发明
国别省市：