电磁屏蔽导热组件及集成电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种电磁屏蔽导热组件及集成电路。上述电磁屏蔽导热组件具有导热屏蔽复合片体，包括导热材料基体以及包覆在导热材料基体中的曲折膜片，曲折膜片为呈波浪折叠形状的电磁屏蔽导热膜，能够降低材料取向问题对导热的不利影响。上述电磁屏蔽导热组件还包括延伸片体，延伸片体为自曲折膜片的端部延伸而出且平整的电磁屏蔽导热膜，并至少部分位于导热屏蔽复合片体之外，延伸片体能够与芯片周围的屏蔽框连接，形成封闭芯片的导电笼体，从而有效发挥电磁屏蔽导热膜的电磁屏蔽作用，提高电磁屏蔽效果，保护芯片不受外部干扰信号影响。响。响。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽导热组件及集成电路


[0001]本技术涉及电磁屏蔽
，特别是涉及一种电磁屏蔽导热组件及集成电路。

技术介绍

[0002]随着5G技术的应用以及互联网设备、天线数量的成倍增长，电磁干扰和电磁辐射对电子设备的危害日益严重。同时，伴随着电子产品的更新升级，设备的功耗不断增大，发热量也快速上升。为了解决此问题，电子产品在设计时会加入越来越多的电磁屏蔽及导热器件。
[0003]石墨烯是一种完全由sp2杂化的碳原子构成的厚度仅为单原子层或数个单原子层的准二维晶体材料。石墨烯具有优异的性能，电导率高达106S/m，是银的1.6倍，热导率可达5000W/(m
·
K)，是铜的13倍。因此，石墨烯是理想的电磁屏蔽材料及导热材料。
[0004]然而，石墨烯是导热各向异性材料，其二维平面方向的热导率很高，但是厚度方向热导率却较低，低于5W/(m
·
K)。因此，将石墨烯简单地添加到热界面材料中并不能有效地提升其导热性能，而需要做取向化处理。即使取向化处理后，热界面材料的导热性能显著提升，因石墨烯并未形成连续的高导电网络，其电磁屏蔽性能也较差。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种电磁屏蔽导热组件及集成电路，以提高电磁屏蔽、导热性能。
[0006]本技术的其中一个目的是提供一种电磁屏蔽导热组件，方案如下：
[0007]一种电磁屏蔽导热组件，包括导热屏蔽复合片体以及延伸片体，所述导热屏蔽复合片体包括导热材料基体以及曲折膜片，所述曲折膜片为呈波浪折叠形状的电磁屏蔽导热膜，导热材料基体包覆所述曲折膜片，所述延伸片体为自所述曲折膜片的端部延伸而出且平整的电磁屏蔽导热膜，所述延伸片体至少部分位于所述导热材料基体之外。
[0008]在其中一个实施例中，所述延伸片体完全位于所述导热材料基体之外。
[0009]在其中一个实施例中，所述曲折膜片的相对的两端均连接有所述延伸片体。
[0010]在其中一个实施例中，所述曲折膜片在延展平面上的投影与所述导热屏蔽复合片体在所述延展平面上的投影完全重叠，所述延展平面为垂直于所述导热屏蔽复合片体的厚度方向的平面。
[0011]在其中一个实施例中，所述延伸片体为石墨烯膜或石墨膜。
[0012]在其中一个实施例中，所述曲折膜片为石墨烯膜或石墨膜。
[0013]在其中一个实施例中，在所述导热屏蔽复合片体的厚度方向上，所述曲折膜片的尺寸为0.2mm～3mm。
[0014]在其中一个实施例中，在所述导热屏蔽复合片体的厚度方向上，所述曲折膜片的尺寸为所述复合片体的尺寸的80％～100％。
[0015]在其中一个实施例中，所述延伸片体的厚度为12μm～100μm。
[0016]在其中一个实施例中，所述曲折膜片的厚度为12μm～100μm。
[0017]在其中一个实施例中，所述延伸片体和所述曲折膜片一体成型。
[0018]本技术的另一个目的是提供一种集成电路，方案如下：
[0019]一种集成电路，包括电路基板、芯片、屏蔽框以及上述任一实施例所述的电磁屏蔽导热组件，所述芯片和所述屏蔽框设置在所述电路基板上，所述屏蔽框围设于所述芯片，所述导热屏蔽复合片体设置在所述芯片上，所述延伸片体连接于所述屏蔽框。
[0020]与传统方案相比，上述电磁屏蔽导热组件及集成电路具有以下有益效果：
[0021]上述电磁屏蔽导热组件具有导热屏蔽复合片体，包括导热材料基体以及包覆在导热材料基体中的曲折膜片，曲折膜片为呈波浪折叠形状的电磁屏蔽导热膜，能够降低材料取向问题对导热的不利影响。上述电磁屏蔽导热组件还包括延伸片体，延伸片体为自曲折膜片的端部延伸而出且平整的电磁屏蔽导热膜，并至少部分位于导热屏蔽复合片体之外，延伸片体能够与芯片周围的屏蔽框连接，形成封闭芯片的导电笼体，从而有效发挥电磁屏蔽导热膜的电磁屏蔽作用，提高电磁屏蔽效果，保护芯片不受外部干扰信号影响。
[0022]上述集成电路具有上述任一实施例所述的电磁屏蔽导热组件，因而能够获得相应的技术效果。
附图说明
[0023]图1为一实施例的电磁屏蔽导热组件的结构示意图；
[0024]图2为一实施例的集成电路的结构示意图。
[0025]附图标记说明：
[0026]100、电磁屏蔽导热组件；110、导热屏蔽复合片体；120、延伸片体；111、导热材料基体；112、曲折膜片；200、集成电路；210、电路基板；220、芯片；230、屏蔽框。
具体实施方式
[0027]为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。
[0028]需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
[0029]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0030]请参考图1所示，本技术一实施例的电磁屏蔽导热组件100包括导热屏蔽复合片体110以及延伸片体120。
[0031]其中，导热屏蔽复合片体110包括导热材料基体111以及曲折膜片112。曲折膜片112为呈波浪折叠形状的电磁屏蔽导热膜，导热材料基体111包覆曲折膜片112。
[0032]延伸片体120为自曲折膜片112的端部延伸而出且平整的电磁屏蔽导热膜，延伸片体120至少部分位于导热材料基体111之外。
[0033]导热材料基体111的材料为高分子聚合物，例如可以是有机硅、丙烯酸树脂等。
[0034]在其中一个示例中，曲折膜片112为石墨烯膜。在其他示例中，曲折膜片112也可以采用其他导电材料，例如曲折膜片112也可以为石墨膜等。曲折膜片112采用石墨烯膜、石墨膜等，同时具有良好的电磁屏蔽性能和导热性能。
[0035]在其中一个示例中，曲折膜片112的厚度为12μm～100μm。在一些具体的示例中，曲折膜片112的厚度为15μm、20μm、30μm、40μm、50μm、60μm、70μm、80μm、90μm、100μm等。
[0036]在其中一个示例中，在导热屏蔽复合片体110的厚度方向上，曲折膜片112的尺寸为0.2mm～3mm。在一些具体的示例中，在导热屏蔽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽导热组件，其特征在于，包括导热屏蔽复合片体以及延伸片体，所述导热屏蔽复合片体包括导热材料基体以及曲折膜片，所述曲折膜片为呈波浪折叠形状的电磁屏蔽导热膜，导热材料基体包覆所述曲折膜片，所述延伸片体为自所述曲折膜片的端部延伸而出且平整的电磁屏蔽导热膜，所述延伸片体至少部分位于所述导热材料基体之外。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽导热组件，其特征在于，所述延伸片体完全位于所述导热材料基体之外。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽导热组件，其特征在于，所述曲折膜片的相对的两端均连接有所述延伸片体。4.如权利要求1所述的电磁屏蔽导热组件，其特征在于，所述曲折膜片在延展平面上的投影与所述导热屏蔽复合片体在所述延展平面上的投影完全重叠，所述延展平面为垂直于所述导热屏蔽复合片体的厚度方向的平面。5.如权利要求1所述的电磁屏蔽导热组件，其特征在于，所述延伸片体为石墨烯膜或石墨膜；和/或所述曲折膜片为石墨烯膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明，时西忠，
申请(专利权)人：苏州杉越电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：