一种直插桥封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直插桥封装结构，包括塑封体，以及封装于塑封体内的框架本体，框架本体由下框架，中间框架和上框架从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片，从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片，中间框架由框架A和框架B组成，二者位于同一水平面且互不接触，框架A和框架B上分别对称安置有等量的芯片，下框架、上框架及框架A和框架B均同向水平延伸有伸出塑封体的引脚；在直插桥有限的尺寸内，内部结构设计为双层芯片结构，每层芯片均可设置四颗，因此能够大幅度提升直插桥的电流及功率，有较高的抗浪涌能力，抗大电容启动的电流冲击，满足了日常消费品更高的功率使用需求。满足了日常消费品更高的功率使用需求。满足了日常消费品更高的功率使用需求。

【技术实现步骤摘要】
一种直插桥封装结构


[0001]本技术涉及直插桥封装领域，具体是涉及一种直插桥封装结构。

技术介绍

[0002]整流桥由4只二极管组成，是由4只整流硅芯片作桥式连接按全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的，有4个引出脚，外用绝缘环氧树脂封装而成。两只二极管负极的连接点是全桥直流输出端的“正极”，两只二极管正极的连接点是全桥直流输出端的“负极”，见图一。
[0003]目前，整流桥是用电器中将交流电变成直流电不可或缺的核心零部件，广泛应用于快充、直流电源、充电桩、家用电器等领域。整流桥从外形封装分为两大类直插桥和表面桥。常见的直插桥有两种为直插桥GBP和直插桥D3K。直插桥在使用方面牢固性好，抗震动能力强，散热性相比表面桥要好。
[0004]以上两种直插桥制造工艺方法都相同，在引线框架上点焊膏，装填芯片，芯片上点焊膏，装配连接片，整体一次烧结，其具有整体一次烧结，流程简单，成本低的优点。随着社会进程的不断发展，特别是在消费品功能越来越齐全，越来越强大的发展趋势下，对于功率的要求也逐渐提高，但是存在以下问题：目前的框架设计及内部结构设计，限于封装尺寸，芯片最多只能封四颗，整个直插桥的功率稍小，再增加电流及功率很有难度，无法大幅度提升电流及功率，满足日常消费品更高的功率使用需求。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种直插桥封装结构，以解决
技术介绍
中限于封装尺寸最多只能封四颗芯片，导致整个直插桥的功率稍小，无法大幅度提升电流及功率的问题。
[0006]为实现上述目的，本技术的一种直插桥封装结构的具体技术方案如下：
[0007]一种直插桥封装结构，包括塑封体，以及封装于塑封体内的框架本体，所述框架本体由下框架，中间框架和上框架从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片，从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片，所述中间框架由框架A和框架B组成，二者位于同一水平面且互不接触，所述框架A和框架B上分别对称安置有等量的芯片，所述下框架、上框架及框架A和框架B均同向水平延伸有伸出塑封体的引脚。
[0008]进一步，每颗所述芯片均通过锡膏焊接固定于相邻两个框架之间。
[0009]进一步，所述引脚上均镀有雾锡。
[0010]进一步，所述引脚的端头做倒圆角处理。
[0011]进一步，所述塑封体上设置有倒角。
[0012]进一步，所述塑封体中间处贯穿开设有散热孔。
[0013]进一步，所述塑封体采用环氧树脂制成。
[0014]进一步，所述下框架、上框架及框架A和框架B均采用铜制成。
[0015]本技术的有益效果：
[0016]1.在直插桥有限的尺寸内，内部结构设计为双层芯片结构，每层芯片均可设置四颗，因此能够大幅度提升直插桥的电流及功率，有较高的抗浪涌能力，抗大电容启动的电流冲击，满足了日常消费品更高的功率使用需求。
[0017]2.塑封体上远离引脚的一端设置有倒角，可以明确直插桥的正负极，进行显著的防呆；塑封体中间处贯穿开设有散热孔，有利于直插桥的散热，提升直插桥的使用寿命；下框架、上框架及框架A和框架B均采用铜制成，代替跳线，提高直插桥的散热能力。
附图说明
[0018]图1是现有整流桥电路图；
[0019]图2是本技术塑封前整体结构示意图；
[0020]图3是本技术塑封前爆炸图；
[0021]图4是本技术塑封前主示图；
[0022]图5是图4的左视图；
[0023]图6是图4的俯视图；
[0024]图7是本技术塑封后整体结构示意图；
[0025]图8是本技术电路图；
[0026]图中：1.塑封体，2.框架本体，21.下框架，22.中间框架，221.框架A，222.框架B，23.上框架，24.芯片，3.引脚，4.倒角，5.散热孔。
[0027]具体实施方式：
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]如图2至图8所示，设计出一种直插桥封装结构，包括塑封体1，以及封装于塑封体1内的框架本体2，框架本体2由下框架21，中间框架22和上框架23从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片24，从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片24，中间框架22由框架A221和框架B222组成，二者位于同一水平面且互不接触，框架A221和框架B222上分别对称安置有等量的芯片24，下框架21、上框架23及框架A221和框架B222均同向水平延伸有伸出塑封体1的引脚3。
[0030]其中，通过将直插桥内部结构设计为双层芯片结构，每层芯片24均可设置四颗，因此能够大幅度提升直插桥的电流及功率，有较高的抗浪涌能力，抗大电容启动的电流冲击，满足了日常消费品更高的功率使用需求。
[0031]如图2至图8所示，每颗所述芯片24大小相同均通过锡膏焊接固定于相邻两个框架之间；引脚3上均镀有雾锡，导电性好，耐腐蚀；引脚3的端头做倒圆角处理，避免了刚性接触，造成引脚3的损坏，从而导致整个直插桥报废；塑封体1上设置有倒角4，可以明确直插桥的正负极，进行显著的防呆；塑封体1中间处贯穿开设有散热孔5，有利于直插桥的散热，提升直插桥的使用寿命；塑封体1采用环氧树脂制成，附着能力优异，不容易脱落，并且具有很好的耐蚀性，从而提高了直插桥整体的可靠性；下框架21、上框架23及框架A221和框架B222均采用铜制成，代替跳线，提高直插桥的散热能力。
[0032]具体制作过程：将下框架21定位在石墨治具上，在下框架21上点锡膏，在锡膏上填芯片24，使用锡膏固定住芯片24，在芯片24上点锡膏，然后放框架A221和框架B222，然后再框架A221和框架B222上再点锡膏，然后锡膏上填芯片24，使用锡膏固定住芯片24，然后在芯片24上点锡膏，最后放上框架23，然后放入烧结炉进行烧结，通过烧结将下框架21、上框架23及框架A221和框架B222与芯片24之间焊接在一起；将烧结完成的半成品经清洗去除残留的助焊剂，接着进行环氧树脂塑封，然后进行环氧树脂固化，完成产品的封装过程；将固化后的产品电镀，引脚3上镀一层雾锡，然后再经切筋切除产品连筋，形成最终的直插桥成品。
[0033]可以理解，本技术是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本技术的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本技术的范围。因此，本技术不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种直插桥封装结构，包括塑封体（1），以及封装于塑封体（1）内的框架本体（2），其特征在于，所述框架本体（2）由下框架（21），中间框架（22）和上框架（23）从下至上依次层叠构成，相邻两个框架之间固定安置有芯片（24），从而形成内部双层芯片结构，其中每层芯片结构均设置有四颗芯片（24），所述中间框架（22）由框架A（221）和框架B（222）组成，二者位于同一水平面且互不接触，所述框架A（221）和框架B（222）上分别对称安置有等量的芯片（24），所述下框架（21）、上框架（23）及框架A（221）和框架B（222）均同向水平延伸有伸出塑封体（1）的引脚（3）。2.根据权利要求1所述的一种直插桥封装结构，其特征在于，每颗所述芯片（24...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志刚，田茂会，刘台凤，崔海滨，
申请(专利权)人：江苏云意电气股份有限公司，
类型：新型
国别省市：