【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片制作,具体为一种高可靠性芯片及其制作方法。
技术介绍
1、目前市面上主流的芯片为使用玻璃钝化保护pn结的技术,简称gpp芯片技术。
2、传统的gpp芯片制作工艺为:扩散、一次光刻、蚀刻沟槽、sipos/sin钝化保护、玻璃钝化保护、lto钝化保护、三次光刻、去氧化、镀镍金、切割,封装测试等。
3、一方面,gpp芯片的制作工艺流程复杂,破片率高,使用成本也较高;另一方面,gpp芯片是通过玻璃钝化来保护pn结,由于玻璃与芯片之间的膨胀系数差异较大,所以gpp芯片在冷热冲击过程中玻璃容易开裂,从而导致器件失效,为了解决gpp芯片破片等问题,一般选择较厚的晶圆片,晶圆片越厚,能耗就越大。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种高可靠性芯片及其制作方法,通过采用酸碱蚀刻、pn结用聚酰亚胺保护以及芯片p面和n面用铜粒焊接保护等新型芯片制作方法取代gpp工艺。
2、为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:
3、一种高可靠性芯片
...【技术保护点】
1.一种高可靠性芯片,包括焊片(2),其特征在于:所述焊片(2)设有两片,且二者之间设有聚酰亚胺(4),所述聚酰亚胺(4)顶端设有芯片(3);
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于,包括下列制作步骤:
3.根据权利要求2所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中烘箱温度为100℃,烘烤时间为10min,油墨厚度为5.0um。
4.根据权利要求2所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(4)中在0~10℃下使用混合酸对未被油墨覆盖的沟槽进行蚀刻。
5.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种高可靠性芯片,包括焊片(2),其特征在于:所述焊片(2)设有两片,且二者之间设有聚酰亚胺(4),所述聚酰亚胺(4)顶端设有芯片(3);
2.根据权利要求1所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于,包括下列制作步骤:
3.根据权利要求2所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(2)中烘箱温度为100℃,烘烤时间为10min,油墨厚度为5.0um。
4.根据权利要求2所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(4)中在0~10℃下使用混合酸对未被油墨覆盖的沟槽进行蚀刻。
5.根据权利要求2所述的一种高可靠性芯片的制作方法,其特征在于:所述步骤(5)中有机溶剂中浸泡的时间为30min,有机溶剂温度为80℃。
6.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘台凤,刘志刚,龚攀,崔海滨,
申请(专利权)人:江苏云意电气股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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