低温共烧陶瓷立体封装结构制造技术

一种低温共烧陶瓷立体封装结构，包含一中介板，其设有数个芯片输入/输出连接点并在周缘部位设有数个芯片信号通路节点，芯片输入/输出连接点通过埋设在中介板中的传导线路电性连接芯片信号通路节点；至少一对间隔条，堆叠组合在中介板下面，其内部设有数个汇流信号导线且电性连接芯片信号通路节点；至少一半导体芯片，其被电性连接于芯片输入/输出连接点；以及一载板，其上表面的周缘部位设有数个汇流信号节点，并在载板底表面设有数个汇流信号外接点，汇流信号节点通过内埋于载板中的传导线路而电性连接至汇流信号外接点，载板堆叠组合在间隔条下面，且汇流信号节点电性连接汇流信号导线。以此可提升封装组件设置密度及缩小封装成品体积。装成品体积。装成品体积。

【技术实现步骤摘要】
低温共烧陶瓷立体封装结构


[0001]本专利技术是有关于一种芯片封装结构，尤其是指一种以低温共烧陶瓷为基材且具有立体连接线路架构的低温共烧陶瓷立体封装结构。

技术介绍

[0002]导入硅中介板封装结构可有效避免半导体芯片与封装基板间热膨胀系数不匹配所产生的问题，提升封装成品的结构稳定性，如图22所示，硅中介板封装结构略是将半导体芯片80接置于一具有硅贯孔91的硅中介板90上，以该硅中介板90作为一转接板，进而将半导体芯片80电性连接至封装基板95上；硅中介板封装结构除了可以克服热膨胀系数不匹配的问题之外，也因其电性传输距离较短，也具有提升半导体芯片80的电性传输速度的优点；但是，由于已知的硅中介板使用了半导体制程，增加了制程技术的困难度及加工成本，且随着半导体芯片80性能提升，半导体芯片80的输入输出(I/O)数逐渐倍增，封装结构的连接线电路复杂化，导致已知的硅中介板的平面式连接线电路架构逐渐不敷使用，因此，如何避免上述已知技术中的种种问题，实为目前业界所急需解决的课题。

技术实现思路

[0003]有鉴于上述已知技术的缺失，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，包含：一中介板，在所述中介板的上表面和下表面的至少一表面的中央部位设有数个芯片输入/输出连接点以及在周缘部位设有数个芯片信号通路节点，所述芯片输入/输出连接点通过埋设在所述中介板中的传导线路而电性连接至所述芯片信号通路节点；至少一对间隔条，在所述间隔条内部设有数个汇流信号导线，所述汇流信号导线贯穿设置于所述间隔条的上表面和下表面，各所述间隔条分别被设置于所述中介板下表面且呈对边设置，且使所述间隔条的汇流信号导线电性连接至所述中介板的芯片信号通路节点；至少一半导体芯片，所述半导体芯片电性连接于所述芯片输入/输出连接点；以及一载板，所述载板上表面的周缘部位设有数个汇流信号节点，在所述载板底表面设有数个汇流信号外接点，所述汇流信号节点通过内埋于所述载板中的传导线路而电性连接至所述汇流信号外接点，所述载板堆叠组合在所述间隔条下面，且使所述间隔条的汇流信号导线电性连接所述载板的汇流信号节点，再由封装胶体包覆所述中介板、所述半导体芯片、所述间隔条与所述载板所构成的堆叠组合体。2.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述中介板包含至少一陶瓷层及至少一导线层，各所述陶瓷层与各所述导线层彼此之间呈间隔叠层设置，通过低温共烧陶瓷工艺将各叠层烧结后形成所述中介板；在所述导线层上具有至少一沿水平方向设置的传导线路，在所述陶瓷层上设有至少一连通导体，所述陶瓷层的连通导体垂直贯穿所述陶瓷层的上表面和下表面；其中，所述中介板内的传导线路的一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述芯片输入/输出连接点，且另一端通过一或多个连通导体而电性连接至所述芯片信号通路节点。3.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述间隔条的横向截面形状是选自于矩形、工字形、C形或L形。4.根据权利要求1所述的低温共烧陶瓷立体封装结构，其特征在于，所述载板包含至少一陶瓷层、至少一导线层及一基底陶瓷层，各所述陶瓷层与各所述导线层彼此之间呈间隔叠层设置，所述基底陶瓷层作为最下面叠层，通过低温共烧陶瓷工艺将各叠层烧结后形成所述载板；在所述陶瓷层上设有至少一连通导体，所述陶瓷层的连通导体垂直贯穿所述陶瓷层的上表面和下表面，其中一所述陶瓷层作为所述载板的最上面叠层，于作为最上面叠层的所述陶瓷层的上表面的周缘部位设置数个所述汇流信号节点；在所述导线层上具有至少一沿水平方向设置的传导线路；在所述基底陶瓷层设有敞露在底表面上的数个所述汇流信号外接点。5.根据权利要求4所述的低温共烧陶瓷...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈春夏，
申请(专利权)人：悦城科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：