构件转印方法技术

提供一种即使使用硬质基板也能够良好地进行构件(被加工品)的转印的构件转印方法。本发明专利技术的构件转印方法是将配置于第1硬质基板上的构件转印至第2硬质基板的方法，所述方法包括：隔着第1紫外线吸收层，将该第1硬质基板和该构件层叠，从而形成层叠体A的工序；其后，将该层叠体A以该构件成为该第2硬质基板侧的方式固定于该第2硬质基板，从而形成层叠体B的工序；其后，对该第1紫外线吸收层照射紫外线，将该第1硬质基板从该层叠体B剥离的工序。该第1硬质基板从该层叠体B剥离的工序。该第1硬质基板从该层叠体B剥离的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】构件转印方法


[0001]本专利技术涉及构件转印方法。

技术介绍

[0002]以往，在电子部件的加工中，为了工序间的移送等，使用基板作为载体，进行将配置于该基板上的电子部件转印至其他基板的操作。转印微型LED等超小型芯片时，从使转印时的位置精度好的观点出发，有时使用硬质基板作为载体。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：国际公开第2012/011202号

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]将硬质基板作为载体时，更具体而言，将隔着规定的粘合剂层配置于第1硬质基板上的电子部件(例如，微型LED)转印至带粘合剂层的第2硬质基板上的情况下，由于使用难以挠曲的硬质基板，因此使得第1硬质基板相对于基板的主面在垂直方向上分离。这样，会产生负荷施加于电子部件从而该电子部件破损、或发生转印不良等问题。
[0008]本专利技术是为了解决上述以往的课题而作出的，其目的在于，提供即使使用硬质基板也能够良好地进行构件(被加工品)的转印的构件转印方法。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]本专利技术的构件转印方法是将配置于第1硬质基板上的构件转印至第2硬质基板的方法，所述方法包括：隔着第1紫外线吸收层，将该第1硬质基板和该构件层叠，形成层叠体A的工序；其后，将该层叠体A以该构件成为该第2硬质基板侧的方式固定于该第2硬质基板，从而形成层叠体B的工序；其后，对该第1紫外线吸收层照射紫外线，将该第1硬质基板从该层叠体B剥离的工序。
[0011]1个实施方式中，在上述第1硬质基板与上述构件之间配置有粘合剂层。
[0012]1个实施方式中，上述第1紫外线吸收层由有机物构成。
[0013]1个实施方式中，上述第1紫外线吸收层由无机物构成。
[0014]1个实施方式中，在上述第2硬质基板上形成第2紫外线吸收层，该第2紫外线吸收层配置于前述构件与前述第2硬质基板之间。
[0015]根据本专利技术的另一方面，提供一种层叠体。该层叠体依次具备：第1硬质基板、第1紫外线吸收层、构件和第2硬质基板，所述层叠体用于上述构件转印方法。
[0016]专利技术的效果
[0017]根据本专利技术，能够提供即使使用硬质基板也能够良好地进行构件(被加工品)的转印的构件转印方法。
附图说明
[0018]图1为对本专利技术的1个实施方式的构件转印方法进行说明的概略图。
[0019]图2为对本专利技术的另一实施方式的构件转印方法进行说明的概略图。
[0020]图3为对本专利技术的另一实施方式的构件转印方法进行说明的概略图。
具体实施方式
[0021]A.构件转印法的概要
[0022]图1为对本专利技术的1个实施方式的构件转印方法进行说明的概略图。图2为对本专利技术的另一实施方式的构件转印方法进行说明的概略图。本专利技术的构件转印方法为将配置于第1硬质基板10上的构件30转印至第2硬质基板20的方法。该方法包括：隔着第1紫外线吸收层40将第1硬质基板10和构件30层叠从而形成层叠体A的工序(以下也称为层叠工序)；其后，将层叠体A以构件30成为第2硬质基板20侧的方式固定于第2硬质基板20，从而形成层叠体B的工序(以下也称为固定工序)；其后，对第1紫外线吸收层40照射紫外线，将第1硬质基板10从上述层叠体B(第2硬质基板20)剥离的工序(以下也称为剥离工序)。紫外线吸收层(第1紫外线吸收层40、第2紫外线吸收层50(后述))为具有可吸收紫外线的特性的层，是指通过紫外线(优选UV激光)的照射，其表面的一部分或全部表现剥离性的层。
[0023]上述构件没有特别限制，例如，可使用半导体元件、光半导体元件等电子部件。固定工序前，在第1紫外线吸收层上可以配置有多个上述构件，也可以配置有1个上述构件。
[0024]平均每个上述构件的载置面积例如为1μm2～1cm2。另外，配置有多个构件的情况下，其间隔例如为2μm～5mm。
[0025]1个实施方式中，上述构件30与上述第1紫外线吸收层40作为一体使用。作为由构件30/第1紫外线吸收层40构成的构成体(例如，电子部件)，例如，可举出与作为无机物的第1紫外线吸收层40组合的构件30，具体而言，例如，可举出具备GaN(氮化镓)系化合物结晶层作为第1紫外线吸收层40的光半导体元件(LED)。该实施方式中，如图1所示，通过上述方法，由构件30/第1紫外线吸收层40构成的构成体自第1硬质基板10转印至第2硬质基板20。
[0026]另一实施方式中，如图2所示，在剥离工序中，包含第1硬质基板10和第1紫外线吸收层40的层叠体自层叠体B(第1硬质基板10)剥离，因此，通过上述转印方法，构件30与第1紫外线吸收层40分离。本实施方式中，作为第1紫外线吸收层40，可形成作为有机物的第1紫外线吸收层40。
[0027]根据本专利技术，通过紫外线的照射，能够实现硬质基板的剥离，因此能够在不对构件施加多余的负荷的状态下完成该构件的转印。需要说明的是，可以在层叠工序与固定工序之间进行对构件进行加工的任意适当的工序。
[0028]B.层叠工序
[0029]B
‑
1.硬质基板
[0030]上述硬质基板(第1硬质基板、第2硬质基板)是指弯曲弹性模量为1GPa以上的板状的成形体。弯曲弹性模量可以根据构成硬质基板的材料分别依据JIS K7171或JIS R1602，通过4点弯曲试验来测定。
[0031]作为构成上述硬质基板的材料，可使用任意适当的材料。作为构成硬质基板的材料，例如，可举出玻璃、金属、硅、蓝宝石、塑料等。1个实施方式中，使用由聚对苯二甲酸乙二
醇酯构成的硬质基板作为硬质基板。由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的硬质基板的厚度例如为100μm以上。
[0032]上述硬质基板的紫外线(波长360nm)透过率优选为70％以上、更优选为80％～99.9％。如果硬质基板具有透光性，则能够优选发生剥离工序中的剥离。
[0033]第1硬质基板与第2硬质基板可以为相同构成，也可以为不同的构成。
[0034]B
‑
2.第1紫外线吸收层
[0035]1个实施方式中，上述第1紫外线吸收层由有机物构成。另一实施方式中，上述第1紫外线吸收层由无机物构成。
[0036](由有机物构成的第1紫外线吸收层)
[0037]由有机物构成的第1紫外线吸收层可以为在初期(即在紫外线照射前)具有粘合性、在紫外线照射后粘合力降低从而显示剥离性的层。1个实施方式中，第1紫外线吸收层可以为通过局部的紫外线照射(例如，UV激光照射)而局部粘合力降低的层。
[0038]1个实施方式中，由有机物构成的第1紫外线吸收层包含紫外线吸收剂。优选由有机物构成的第1紫外线吸收层还包含活性能量射线固化型粘合剂。
[0039]通过使第1紫外线吸收层包含紫外线吸收剂，从而可实现UV激光照射所带来的被粘物的剥离。更本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种构件转印方法，其是将配置于第1硬质基板上的构件转印至第2硬质基板的方法，所述方法包括：隔着第1紫外线吸收层，将该第1硬质基板和该构件层叠，从而形成层叠体A的工序；其后，将该层叠体A以该构件成为该第2硬质基板侧的方式固定于该第2硬质基板，从而形成层叠体B的工序；其后，对该第1紫外线吸收层照射紫外线，将该第1硬质基板从该层叠体B剥离的工序。2.根据权利要求1所述的构件转印方法，其中，在所述第1硬质基板与所述构件之间配置有粘合剂层。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：上野周作，平山高正，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：