电子元件堆叠装置制造方法及图纸

技术编号:3737908 阅读:148 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及电子元件封装装置。使之省导线、传输快。电子元件堆叠装置,其包含一基板、一上坑穴、一下坑穴、一上电子元件、一下电子元件及导线,其特征是:基板上表面及下表面间设一金属层;上坑穴从上表面贯穿至金属层,并形成上坑穴底部;下坑[穴从下表面贯穿至金属层并形成下坑穴底部;上电子元件置于上坑穴底部的金属层并覆盖一第一封胶体;下电子元件置于下坑穴底部的金属层并覆盖一第二封胶体。用于电子设备。(*该技术在2009年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子元件封装装置。现有电子元件封装如附图说明图1、2所示如图1,一基板110包含有机物质层111、金属层112,金属层112位于有机物质层111内,基板110另包含一上表面113、一下表面114,一孔115则从上表面113贯穿至下表面114。一晶片121位于基板110上表面113所设孔115正上方,晶片121由导线122连接基板110上表面113的接点123,灌入的封胶体124包封住突出于基板110上表面113上的整个晶片121,形成气密密封。孔115内壁设有金属层125,金属层125正触及位于正上方的晶片121,下表面114的金属层125延伸部分焊接一金属球126。晶片121产生的热量经金属层125传导至基板110内的金属层112或金属球126。下表面114覆盖一环氧化合物116,环氧化合物116并填充入孔115的金属层125内。由于晶片121凸置于基板110上,使基板110厚度增加并导致晶片121与接点123的间距增加,造成导线122长度增加,进而使讯号传递时间增长;另外,导线122电阻亦随之增加,讯号传递因而减弱减慢,并使导线122费材料,易受损。如图2,一基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
电子元件堆叠装置,其包含一基板、一上坑穴、一下坑穴、一上电子元件、一下电子元件及导线,其特征是:基板上表面及下表面间设一金属层;上坑穴从上表面贯穿至金属层,并形成上坑穴底部;下坑[穴从下表面贯穿至金属层并形成下坑穴底部;上电子元件置于上坑穴底部的金属层并覆盖一第一封胶体;下电子元件置于下坑穴底部的金属层并覆盖一第二封胶体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈昆进李俊哲叶勇谊
申请(专利权)人:日月光半导体制造股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

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