一种半导体结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：在衬底上依次设置的连接层、接触孔蚀刻停止层、层间介质层和多层掺杂层；第一凹部，设置在所述掺杂层中，且由所述第一凹部开口一侧至底壁一侧，所述第一凹部的径向长度逐渐减小；第二凹部，延伸入部分所述层间介质层中，所述第二凹部的侧壁垂直设置；第三凹部，设置在所述第二凹部底部，且所述第三凹部延伸入部分所述连接层，由所述第三凹部的开口一侧至底壁一侧，所述第三凹部的径向长度逐渐减小；以及导电结构，设置在所述第一凹部、所述第二凹部和所述第三凹部中。通过本发明专利技术提供的一种半导体结构的制造方法，可提高半导体器件的电性能。能。能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构及其制造方法


[0001]本专利技术属于半导体结构制作领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]随着芯片集成度的提高和特征尺寸的减小，接触孔的深宽比(AspectRatio，AR)变得原来越大。当在接触孔内沉积金属时，若接触孔工艺窗口不够优化，很容易在接触孔填充完成后形成一条细缝，严重的情况还会造成大的空洞，影响器件性能，甚至造成器件失效。而当接触孔的关键尺寸过小时，也易导致接触孔填充异常，进而影响器件的电性能。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其的制造方法，通过本专利技术提供的半导体结构及其制造方法，可避免在接触孔内形成空洞，提高半导体器件的电性能。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，至少包括：
[0006]衬底；
[0007]连接层，设置在所述衬底上；
[0008]接触孔蚀刻停止层，设置在所述连接层上；/>[0009]层间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；连接层，设置在所述衬底上；接触孔蚀刻停止层，设置在所述连接层上；层间介质层，设置在所述接触孔蚀刻停止层上；多层掺杂层，设置在所述层间介质层上；第一凹部，设置在所述掺杂层中，且由所述第一凹部开口一侧至底壁一侧，所述第一凹部的径向长度逐渐减小；第二凹部，设置在所述第一凹部底部，且所述第一凹部延伸入部分所述层间介质层中，所述第二凹部的侧壁垂直设置；第三凹部，设置在所述第二凹部底部，且所述第三凹部穿过所述层间介质层、所述接触孔蚀刻停止层和部分所述连接层，由所述第三凹部的开口一侧至底壁一侧，所述第三凹部的径向长度逐渐减小；以及导电结构，设置在所述第一凹部、所述第二凹部和所述第三凹部中。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构位于掺杂区上，所述第二凹部的底部所在平面高于栅极顶部所在平面。3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹部的侧壁呈弧形设置。4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一凹部侧壁的倾斜角大于所述第三凹部侧壁的倾斜角。5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括硬掩模层，且所述硬掩模层位于所述掺杂层上。6.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一衬底，且所述衬底上依次设置有连接层、接触孔蚀刻停止层和层间介质层；在所述层间介质层上设置多层掺杂层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡万春，张留杰，伏亚楠，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：