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本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，属于半导体技术领域。所述半导体结构至少包括：在衬底上依次设置的连接层、接触孔蚀刻停止层、层间介质层和多层掺杂层；第一凹部，设置在所述掺杂层中，且由所述第一凹部开口一侧至底壁一侧，所述第一凹部的径向长度...
该专利属于合肥晶合集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥晶合集成电路股份有限公司授权不得商用。

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