封装结构、封装方法和电子设备技术

本申请提供了一种封装结构、封装方法和电子设备。本申请实施例中的封装结构包括基板，和设置于基板上的芯片；第一RDL焊盘，第一RDL焊盘设置在芯片远离基板的一侧；至少一根第一键合线，第一键合线的第一端与第一RDL焊盘焊接，第一键合线的第二端与基板上的至少一个引脚焊接。脚焊接。脚焊接。

【技术实现步骤摘要】
封装结构、封装方法和电子设备


[0001]本申请属于半导体
，具体涉及一种封装结构、封装方法和电子设备。

技术介绍

[0002]芯片是电子设备中的核心部件之一，随着电子设备功能的逐渐增加，芯片的集成度也越来越高，在相关技术中，主要通过方形扁平无引脚封装(Quad Flat No
‑
leads Package，QFN)技术对芯片进行封装。
[0003]在传统的芯片封装结构中，在芯片的边缘设置有焊盘，焊盘通过键合线与基板的引脚电连接。然而，上述焊盘的材质通常为铝，焊盘的面积如果过大则会压缩芯片晶圆的有效空间利用率，即焊盘的面积受限于芯片的晶圆尺寸；且由于焊盘面积较小，因此在一个焊盘上只能焊接一根尺寸较小的键合线。
[0004]综上所述，在传统的芯片封装技术中，焊盘的焊盘面积受限于芯片的晶圆尺寸，且一个焊盘只能与一根键合线焊接。

技术实现思路

[0005]本申请实施例的目的是提供一种封装结构、封装方法和电子设备，上述封装结构中的RDL焊盘的焊盘面积不受限于芯片的晶圆尺寸，且RDL焊盘可以与多根键合线焊接。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0007]第一方面，本申请实施例提供了一种封装结构，包括：
[0008]基板，和设置于所述基板上的芯片；
[0009]第一RDL焊盘，所述第一RDL焊盘设置在所述芯片远离所述基板的一侧；
[0010]至少一根第一键合线，所述第一键合线的第一端与所述第一RDL焊盘焊接，所述第一键合线的第二端与所述基板上的至少一个引脚焊接。
[0011]第二方面，本申请实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括如第一方面所述的封装结构。
[0012]第三方面，本申请实施例提供了一种封装方法，包括：
[0013]在基板上设置芯片；
[0014]在所述芯片远离所述基板的一侧设置第一RDL焊盘；
[0015]设置第一键合线的第一端与所述第一RDL焊盘焊接，且设置所述第一键合线的第二端与所述基板上的至少一个引脚焊接。
[0016]本申请实施例中的封装结构包括基板，和设置于基板上的芯片；第一RDL焊盘，第一RDL焊盘设置在芯片远离基板的一侧；至少一根第一键合线，第一键合线的第一端与第一RDL焊盘焊接，第一键合线的第二端与基板上的至少一个引脚焊接。本申请实施例提供的封装结构仅限定RDL焊盘的位置，即RDL焊盘设置在芯片远离基板的一侧，并不对RDL焊盘的面积与芯片的晶圆尺寸之间的大小关系进行限定，即上述封装结构中的RDL焊盘的焊盘面积不受限于芯片的晶圆尺寸。本申请实施例中，使用RDL焊盘替换传统的铝焊盘，避免焊盘与
键合线之间的键合力过大导致的弹坑效应，以及防止焊盘与键合线之间的结合性变差；且RDL焊盘可以在不压缩晶圆面积的有效空间利用率的基础上，与多根键合线焊接。
附图说明
[0017]图1是本申请的一些实施例提供的封装结构的截面图；
[0018]图2是本申请的一些实施例提供的封装结构的俯视图；
[0019]图3是本申请的一些实施例提供的封装结构的局部截面图；
[0020]图4是本申请的一些实施例提供的封装结构的局部截面图；
[0021]图5是本申请的一些实施例提供的封装结构的局部截面图；
[0022]图6是本申请的一些实施例提供的封装方法的流程图。
具体实施方式
[0023]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0024]本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0025]请参阅图1和图2，图1是本申请的一些实施例提供的封装结构的截面图，图2是本申请实施例提供的封装结构的俯视图。如图1和图2所示的封装结构，包括基板10，和设置于所述基板10上的芯片20；
[0026]第一RDL焊盘30，所述第一RDL焊盘30设置在所述芯片20远离所述基板10的一侧；
[0027]至少一根第一键合线40，所述第一键合线40的第一端与所述第一RDL焊盘30焊接，所述第一键合线40的第二端与所述基板10上的至少一个引脚焊接。
[0028]本申请的一些实施例中，芯片20设置于基板10上，且芯片20远离基板10的一侧设置有第一RDL焊盘30。可选地，可以在芯片20远离基板10的一侧设置多个第一RDL焊盘30。可选地，可以采用电镀工艺在芯片20表面设置一层重布线层(Redistribution Layer，RDL)结构，形成第一RDL焊盘30，应理解，通过设置RDL结构可以实现常用于半导体封装(bumping)工艺的铜柱连接功能，此外，RDL结构还可以实现焊盘功能。上述第一RDL焊盘30的焊盘面积可以灵活设置，不受限于芯片20的晶圆尺寸，且上述第一RDL焊盘30在芯片20上的位置也可以灵活设置。
[0029]本申请的一些实施例提供的封装结构还包括至少一根第一键合线40，设置第一键合线40的第一端与所述第一RDL焊盘焊接，可选地，可以对设置在芯片20表面的每个第一RDL焊盘30进行打线键合，设置每个第一RDL焊盘30与至少一根第一键合线40焊接。且上述至少一根第一键合线40还与基板10上的至少一个引脚11焊接，实现芯片20与基板10的电气连接。
[0030]为便于理解，请参阅图2，从封装结构的俯视图可以得到，一个第一RDL焊盘30可以与一根第一键合线40焊接；一个第一RDL焊盘30也可以与三根第一键合线40焊接，且这三根第一键合线40与基板10上的一个引脚11焊接；一个第一RDL焊盘30也可以与四根第一键合线40焊接，且这四根第一键合线40与基板10上的两个引脚11焊接。
[0031]本申请实施例提供的封装结构仅限定RDL焊盘的位置，即RDL焊盘设置在芯片20远离基板10的一侧，并不对RDL焊盘的面积与芯片20的晶圆尺寸之间的大小关系进行限定，即上述封装结构中的RDL焊盘的焊盘面积不受限于芯片的晶圆尺寸。传统的芯片焊盘通常为铝焊盘，键合线通常为铜线或金线，在键合线为铜线时，由于铜线材质很硬且容易氧化，需要较大的键合力才能键合上，但是铝焊盘较软，参数控制不当会形成“弹坑”效应(即：键合力过大导致芯片内层金属出现损伤)；在键合线为金线时，由于铝原子很容易和金原子反应生成脆性的金属间化合物(InterMetalliC，IMC)，随着温度和键合时间的增加，IMC会变得本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：基板，和设置于所述基板上的芯片；第一RDL焊盘，所述第一RDL焊盘设置在所述芯片远离所述基板的一侧；至少一根第一键合线，所述第一键合线的第一端与所述第一RDL焊盘焊接，所述第一键合线的第二端与所述基板上的至少一个引脚焊接。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片远离所述基板的一侧包括芯片焊盘和钝化层，所述封装结构还包括缓冲层；所述缓冲层设置在所述钝化层上，且所述缓冲层设置在所述第一RDL焊盘和所述钝化层之间。3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述缓冲层的厚度大于或等于5μm，且小于或等于10μm。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括金属层；所述金属层设置在所述第一RDL焊盘远离所述基板的一侧，且所述金属层上设置用于焊接所述第一键合线与所述第一RDL焊盘的焊接部。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述金属层的厚度大于或等于0.5μm，且小于或等于3μm。6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括塑封件：所述基板、所述芯片、所述第一RDL焊盘以及所述至少一根第一键合线均塑封在所述塑封件内。7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二RDL焊盘和至少一根第二键合线；所述第二RD...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙凯，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：