芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种芯片封装结构，该芯片封装结构所使用的至少一嵌入式芯片是水平式芯片或垂直式芯片；其中当各嵌入式芯片是水平式芯片时，各嵌入式芯片的至少两个晶垫能分别通过至少两个焊点以电性连接至一基板的一第二表面上的一第一电路层；其中当各嵌入式芯片是垂直式芯片时，各嵌入式芯片的一第一表面上的一晶垫能通过一焊点电性连接至一第一电路层，而各嵌入式芯片的一第二表面上的一晶垫能通过一焊点以电性连接至该第一电路层；其中形成各焊点的材料是银胶或铜胶以提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接产生的污染及减少清洁成本。清洁成本。清洁成本。

【技术实现步骤摘要】
芯片封装结构


[0001]本技术涉及一种芯片封装结构，尤其是指一种能提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接(Soldering)产生的污染及减少清洁成本的芯片封装结构。

技术介绍

[0002]现有的芯片封装结构所使用的焊点(焊接材料)为锡球，以能进行锡焊接(Soldering)，但是，锡球焊接材料在高温状态(如220～260℃)下容易溶解，以致影响到芯片封装结构之间的元件的电性连接配合度或稳定度，导致芯片封装结构的信赖度降低；此外，在锡焊接的回焊(Reflow)过程中，容易产生挥发气体，不但对人体(如制造端的工作人员)有害，锡焊接的挥发气体亦造成空气污染而不利于环保，而且，锡焊接还需要清除锡焊接过程中使用的助焊剂(Flux)，相对增加制程的成本。
[0003]再者，上述所提及的助焊剂，在使用时助焊剂的使用剂量必须准确，助焊剂用量过少会影响焊接的质量，助焊剂用量过多则残留物会损伤结构及降低电性连接的配合度或稳定度，会导致芯片封装结构的信赖度降低，不利于产品的市场竞争力。
[0004]因此，一种能提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接产生的污染及减少清洁成本的芯片封装结构，为目前相关产业的迫切期待。

技术实现思路

[0005]本技术的主要目的在于提供一种芯片封装结构，该芯片封装结构所使用的至少一嵌入式芯片的类型为水平式芯片或垂直式芯片；其中当各嵌入式芯片的类型为水平式芯片时，各嵌入式芯片的至少两个晶垫能分别通过至少两个焊点以分开地电性连接至一基板的一第二表面上的一第一电路层；其中当各嵌入式芯片的类型为垂直式芯片时，各嵌入式芯片的一第一表面上的一晶垫能通过一焊点与一第二电路层电性连接，并电性连接至一第一电路层，而各嵌入式芯片的一第二表面上的一晶垫能通过一焊点以电性连接至一第三电路层，并电性连接至该第一电路层；其中形成各焊点的材料是银胶或铜胶，有效地解决现有的芯片封装结构的信赖度降低、锡焊接产生的污染、及增加清洁成本的问题。
[0006]为达成上述目的，本技术提供一种芯片封装结构，该芯片封装结构包含一基板、至少一嵌入式芯片、至少两个焊点及一绝缘层；其中该基板具有一第一表面及相对的一第二表面，其中在该第二表面上设有一第一电路层，在该基板的该第一表面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中该至少一第一盲孔及该至少一第二盲孔是分别由该第一表面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层，其中在该第一表面上及该至少一第二盲孔的内壁面上设有一第二电路层，且该第二电路层电性连接至该第一电路层；其中该至少一嵌入式芯片的类型是水平式芯片，该至少一嵌入式芯片具有至少两个晶垫，每一该晶垫是分开设在该至少一嵌入式芯片的一第一表面上，其中该至少一嵌入式芯片是对应地设在该基板的该第一表面上的该第二电路层上；其中每一该焊点是设于该至少一嵌入式芯片的该每一晶垫与该基板的该第一表面上的该第二电路层之间，并使该每一晶垫能分别通过对
应焊点以分开地电性连接至该基板的该第二表面上的该第一电路层，其中形成每一该焊点的材料是银胶或铜胶；其中该绝缘层以压注技艺覆设在该基板的该第一表面上，该绝缘层是包覆地填满该至少一嵌入式芯片在该芯片封装结构中所留下的空隙，以提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接产生的污染及减少清洁成本。
[0007]在本技术一较佳实施例中，每一该焊点所使用的银胶进一步是纳米银胶；其中每一该焊点所使用的铜胶进一步是纳米铜胶。
[0008]在本技术一较佳实施例中，该至少一嵌入式芯片进一步具有一第二表面相对于该至少一嵌入式芯片的该第一表面；其中该绝缘层进一步具有一第一表面；其中该至少一嵌入式芯片的该第二表面及该绝缘层的该第一表面上进一步具有一散热层。
[0009]在本技术一较佳实施例中，该散热层具有一第一表面，该散热层的该第一表面上具有一第一外护层；其中该第一电路层进一步具有一第一表面，该第一电路层的该第一表面上具有一第二外护层。
[0010]在本技术一较佳实施例中，该绝缘层进一步具有一第一表面，该绝缘层的该第一表面上具有一第一外护层；其中该第一电路层进一步具有一第一表面，该第一电路层的该第一表面上具有一第二外护层。
[0011]本技术还提供一种芯片封装结构，该芯片封装结构包含一基板、至少一嵌入式芯片、至少两个焊点、一绝缘层及一第三电路层；其中该基板具有一第一表面及相对的一第二表面，其中在该第二表面上设有一第一电路层，在该基板的该第一表面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中该至少一第一盲孔及该至少一第二盲孔是分别由该第一表面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层，其中在该第一表面上及该至少一第二盲孔的内壁面上设有一第二电路层，且该第二电路层电性连接至该第一电路层；其中该至少一嵌入式芯片的类型是垂直式芯片，该至少一嵌入式芯片具有至少两个晶垫，其中每一该晶垫是分别设在该至少一嵌入式芯片的一第一表面上及一相对的第二表面上，该至少一嵌入式芯片是对应地设在该基板的该第一表面上的该第二电路层上；其中每一该焊点是设于该至少一嵌入式芯片的对应该晶垫上，其中形成每一该焊点的材料是银胶或铜胶；其中该绝缘层是以压注技艺覆设在该基板的该第一表面上，且在该绝缘层上钻孔成型至少一第三盲孔，该至少一第三盲孔是穿过该绝缘层厚度，其中该至少一第三盲孔是对应连通至设在该基板上的该至少一第一盲孔，使该至少一第三盲孔与所对应的该至少一第一盲孔能形成一上下连通的一体式盲孔，其中该绝缘层是包覆地填满该至少一嵌入式芯片在该芯片封装结构中所留下的空隙；其中该第三电路层是成型在该至少一嵌入式芯片的该第二表面的每一该晶垫、该绝缘层的一第一表面上，以及该至少一第三盲孔与该至少一第一盲孔的内壁面上，使设在该至少一嵌入式芯片的该第二表面上的每一该晶垫能通过该第三电路层以电性连接至该第一电路层；其中该至少一嵌入式芯片的该第一表面上的每一该晶垫能通过该第二电路层以电性连接至该第一电路层；其中该至少一嵌入式芯片的该第二表面上的每一该晶垫能通过对应的该焊点以电性连接至该第三电路层，再通过该第三电路层电性连接至该第一电路层，以提升芯片封装结构的信赖度且避免锡焊接产生的污染及减少清洁成本。
[0012]在本技术一较佳实施例中，每一该焊点所使用的银胶进一步是纳米银胶；其中每一该焊点所使用的铜胶进一步是纳米铜胶。
[0013]在本技术一较佳实施例中，该第三电路层上进一步具有一第一表面，该第三
电路层的该第一表面上设有一外护层，且该外护层是包覆地填满该至少一第三盲孔及该至少一第一盲孔；其中该第一电路层进一步具有一第一表面，该第一电路层的该第一表面上具有一第二外护层。
附图说明
[0014]图1为本技术第一实施例(水平式芯片)的侧面剖视示意图。
[0015]图2为本技术第一实施例的基板的侧面剖视示意图。
[0016]图3为图2中的基板上设有嵌入式芯片(水平式芯片)的示意图。
[0017]图4为图3中的基板上设有绝缘层的示意图。
[0018]图5为本技术第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包含：一基板，其具有一第一表面及相对的一第二表面，其中在该第二表面上设有一第一电路层，在该基板的该第一表面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中该至少一第一盲孔及该至少一第二盲孔是分别由该第一表面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层；其中在该第一表面上及该至少一第二盲孔的内壁面上设有一第二电路层，且该第二电路层电性连接至该第一电路层；至少一嵌入式芯片，该至少一嵌入式芯片的类型是水平式芯片，该至少一嵌入式芯片具有至少两个晶垫，每一该晶垫是分开设在该至少一嵌入式芯片的一第一表面上，其中该至少一嵌入式芯片是对应地设在该基板的该第一表面上的该第二电路层上；至少两个焊点，每一该焊点是设于该至少一嵌入式芯片的每一该晶垫与该基板的该第一表面上的该第二电路层之间，并使每一该晶垫分别通过对应焊点以分开地电性连接至该基板的该第二表面上的该第一电路层；其中形成每一该焊点的材料是银胶或铜胶；及一绝缘层，其以压注技艺覆设在该基板的该第一表面上，该绝缘层是包覆地填满该至少一嵌入式芯片在该芯片封装结构中所留下的空隙。2.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一该焊点所使用的银胶进一步是纳米银胶；其中每一该焊点所使用的铜胶进一步是纳米铜胶。3.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该至少一嵌入式芯片进一步具有一第二表面相对于该至少一嵌入式芯片的该第一表面；其中该绝缘层进一步具有一第一表面；其中该至少一嵌入式芯片的该第二表面及该绝缘层的该第一表面上进一步具有一散热层。4.如权利要求3所述的芯片封装结构，其特征在于，该散热层具有一第一表面，该散热层的该第一表面上具有一第一外护层；其中该第一电路层进一步具有一第一表面，该第一电路层的该第一表面上具有一第二外护层。5.如权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，该绝缘层进一步具有一第一表面，该绝缘层的该第一表面上具有一第一外护层；其中该第一电路层进一步具有一第一表面，该第一电路层的该第一表面上具有一第二外护层。6.一种芯片封装结构，其特征在于，包含：一基板，其具有一第一表面及相对的一第二表面，其中在该第二表面上设有一第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：林功艺，何睿腾，
申请(专利权)人：万闳企业有限公司，
类型：新型
国别省市：