垂直式芯片与水平式芯片的封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种垂直式芯片与水平式芯片的封装结构，其中该封装结构包含一基板、至少一垂直式/水平式芯片、一绝缘层及一第三电路层；其中每一该垂直式/水平式芯片为对应地设在该基板的一第一面上的一第二电路层上而非如现有封装结构是将芯片嵌设于盲孔中，以具有成本低于现有封装技术、高导热/散热佳而可满足大功率/大电流/大电压的使用需求，且外观/尺寸与传统封装相同而可沿用传统封装中现有的相关制造设备的优点，有效地解决现有封装结构的缺点。结构的缺点。结构的缺点。

【技术实现步骤摘要】
垂直式芯片与水平式芯片的封装结构


[0001]本技术为一种封装结构，尤指一种垂直式芯片与水平式芯片的封装结构。

技术介绍

[0002]在芯片封装结构
中，目前已存在多种现有技术如美国专利US8,211,722、US6,914,268、US8,049,230、US7,985,979、US7,939,832、US7,713,353、US7,642,121、US7,462,861、US7,393,411、US7,335,519、US7,294,866、US7,087,526、US5,557,115、US6,514,782、US6,497,944、US6,791,119、US2011/0014734、US2002/0163302、或US2004/0113156等所揭示。一般而言，芯片可分为垂直式芯片及水平式芯片，一垂直式芯片具有至少两个晶垫(如P/N极)且分开设在该芯片的一第一表面及相对的第二表面上，如电源(Power)芯片但不限制；一水平式芯片具有至少两个晶垫且同设在该芯片的一表面上但不限制。此外，以一垂直式芯片的覆晶式封装结构而言，再利用表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种垂直式芯片的封装结构，其特征在于，包含：一基板，其具有一第一面及相对的一第二面，在该第二面上设有一第一电路层，在该基板的该第一面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中每一该第一盲孔及每一该第二盲孔为分别由该第一面穿过该基板厚度而连通至第一电路层；其中在该第一面上及每一该第二盲孔的内壁面上设有一第二电路层，且该第二电路层电性连结至该第一电路层；至少一垂直式芯片，各具有至少两个晶垫，其中每一该晶垫为分别设在每一该垂直式芯片的一第一表面上及一相对的第二表面上，每一该垂直式芯片为对应地设在该基板的该第一面上的该第二电路层上，并使设在每一该垂直式芯片的该第二表面上的每一该晶垫通过导电材以电性连结至该第二电路层；其中每一该垂直式芯片的该第二表面上的每一该晶垫通过该第二电路层以电性连结至该第一电路层；一绝缘层，其为以压注技艺覆设在该基板的该第一面上，且在该绝缘层上钻孔成型至少一第三盲孔；其中每一该第三盲孔为穿过该绝缘层厚度；其中每一该第三盲孔为对应连通至设在该基板上的每一该第一盲孔，使每一该第三盲孔与所对应的每一该第一盲孔形成一上下连通的一体式盲孔；其中该绝缘层为包覆地填满每一该垂直式芯片在该封装结构中所留下的空隙；及一第三电路层，其为成型在该绝缘层的表面上以及每一该第三盲孔与每一该第一盲孔的内壁面上，使设在每一该垂直式芯片的该第一表面上的每一该晶垫通过该第三电路层以电性连结至该第一电路层。2.如权利要求1所述的封装结构，其特征在于，该封装结构进一步包含一外护...

【专利技术属性】
技术研发人员：林功艺，
申请(专利权)人：万闳企业有限公司，
类型：新型
国别省市：