一种降低焊球应力的结构及其构造方法技术

本发明专利技术涉及半导体封装技术领域，提出一种降低焊球应力的结构及其构造方法，该结构包括：焊球，其与凸块下金属层连接；凸块下金属层，其布置于绝缘层上方；焊盘，其布置于绝缘层下方；以及绝缘层，其设置过孔束，所述过孔束设置于所述焊盘上方，其中所述过孔束包括多个过孔，其中所述凸块下金属层与所述焊盘通过所述过孔束连接。过孔束连接。过孔束连接。

【技术实现步骤摘要】
一种降低焊球应力的结构及其构造方法


[0001]本专利技术总的来说涉及半导体封装
具体而言，本专利技术涉及一种降低焊球应力的结构及其构造方法。

技术介绍

[0002]传统上，芯片封装通常需要先对芯片进行切割再进行封测，封装后会增加芯片的体积。而晶圆级芯片封装(WLCSP，Wafer Level Chip Scale Packaging Technology)是先在整片晶圆上进行封装和测试，然后才切割成单个的IC(Integrated Circuit Chip集成电路)颗粒，封装后的芯片体积与IC裸晶的原尺寸相同。因此晶圆级芯片封装是实现高密度、高性能封装和系统级封装(SiP，System in Package)的重要技术，其为生产更轻薄和小巧的电子设备带来了更多的可能性。
[0003]然而传统的晶圆级芯片封装中，封装结构中的焊球产生的应力通常全部集中在局部区域内。而与焊球链接的焊盘下方通常采用低介电常数(Low
‑
K)材料，低介电常数材料通常较为脆弱，如图1所示其容易受焊球产生的应力影响进而产生裂缝(Crack本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低焊球应力的结构，其特征在于，包括：焊球，其与凸块下金属层连接；凸块下金属层，其布置于绝缘层上方；焊盘，其布置于绝缘层下方；以及绝缘层，其设置过孔束，所述过孔束设置于所述焊盘上方，其中所述过孔束包括多个过孔，其中所述凸块下金属层与所述焊盘通过所述过孔束连接。2.根据权利要求1所述的降低焊球应力的结构，其特征在于，包括：钝化层，其上布置所述焊盘，其中所述绝缘层布置与所述钝化层上方：以及衬底，其布置与所述钝化层下方。3.根据权利要求1所述的降低焊球应力的结构，其特征在于，所述过孔的形状包括圆形、正方形以及菱形。4.根据权利要求1所述的降低焊球应力的结构，其特征在于，所述过孔束包括4个20μm的过孔；或者所述过孔束包括16个10μm的过孔。5.根据权利要求1所述的降低焊球应力的结构，其特征在于，所述凸块下金属层包括扩散层、势垒层、润湿层以及抗氧化层。6.根据权利要求1所述的降低焊球应力的结构，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊嘉祺，孙鹏，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：