晶片封装的导接线路结构制造技术

一种晶片封装的导接线路结构，其中该导接线路结构的介电质层最多仅具有第一介电质层及第二介电质层这两层介电质层，较现有的导接线路结构的介电质层要来得少，使得该导接线路结构有效地改善现有导接线路结构的厚度较厚及制程繁杂的问题，以符合现代导接线路结构越趋薄型的发展趋势，有利于降低制造端成本，此外，该导接线路结构中的多个导接线路的导电度也会提升，而增加产品性能。而增加产品性能。而增加产品性能。

【技术实现步骤摘要】
晶片封装的导接线路结构


[0001]本技术是一种导接线路结构，尤指一种晶片封装的导接线路结构。

技术介绍

[0002]在半导体晶片封装结构
中，目前已存在多种先前技术如中国台湾专利技术专利434848号「半导体晶片装置及其封装方法」及其四件追加专利案包括：公告第466715号(追加一)、公告第495933号(追加二)、公告第466716号(追加三)、公告第503534号(追加四)、或I381503，以及美国专利号US 6,239,488、US5,990,546、US 6,143,991、US6,075,712、US6,114,754、或US2004/0232543等专利所揭示。近期发展及使用的半导体晶片封装结构是属于一种chip scale package type(晶片尺寸封装型态)，并已衍生多种不同的制程及结构，而此种chip scale package type(晶片尺寸封装型态)的制程及结构虽可解决TAB技术会造成较大封装尺寸的问题。
[0003]然而，针对上述专利技术专利I381503的技术特征中成型出导接线路结构的方式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片封装的导接线路结构，该导接线路结构以多个数量安装结合在一基板上，其特征在于，该导接线路结构包含：一晶片，其具有一表面，该表面上设有多个焊垫；多个第一保护层，各该第一保护层分别对应覆盖地设在该晶片的该表面上，且各该第一保护层涵盖该晶片的各该焊垫；其中各该第一保护层与该晶片的各该焊垫电性连接；多个第一介电质层，各该第一介电质层覆设于该晶片的该表面上，且各该第一介电质层上形成有至少一第一凹槽，各该第一凹槽供该晶片的各该焊垫能对外电性连接；多个导接线路，各该导接线路覆设于该晶片的该表面及各该第一保护层上，且部分的各该导接线路设在各该第一凹槽内；及多个第二保护层，各该第二保护层分别对应覆盖地设在各该导接线路的表面及各该第一介电质层的表面上，且各该第二保护层涵盖该晶片的各该焊垫；其中各该第二保护层与各该导接线路电性连接，且各该第二保护层通过各该导接线路与该晶片的各该焊垫电性连接。2.根据权利要求1所述的晶片封装的导接线路结构，其特征在于，各该第一介电质层以旋涂的工艺而成型。3.根据权利要求1所述的晶片封装的导接线路结构，其特征在于，各该第一凹槽填入金属质的方式选择自银膏印刷、溅镀、化学气相沉积、溅镀与电镀、或化学气相沉积与电镀中的一种。4.一种晶片封装的导接线路结构，该导接线路结构以多个数量安装结合在一基板上，其特征在于，该导接线路结构包含：一晶片，其具有一表面，该表面上设有多个焊垫；多个第一保护层，各该第一保护层分别对应覆盖地设在该晶片的该表面上，且各该第一保护层涵盖该晶片的各该焊垫；其中各该第一保护层与该晶片的各该焊垫电性连接；多个第一介电质层，各该第一介电质层覆设于该晶片的该表面上，且各该第一介电质层上形成有至少一第一凹槽，各该第一凹槽供该晶片的各该焊垫能对外电性连接；多个导接线路，各该导接线路覆设于该晶片的该表面及各该第一保护层上，且部分的各该导接线路设在各该第一介电质层的环侧壁上；多个第二保护层，各该第二保护层分别对应覆盖地设在各该导接线路的表面上，且各该第二保护层涵盖该晶片的各该焊垫；其中各该第二保护层与各该导接线路电性连接，且各该第二保护层通过各该导接...

【专利技术属性】
技术研发人员：林功艺，
申请(专利权)人：万闳企业有限公司，
类型：新型
国别省市：