一种硅压阻芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种硅压阻芯片，涉及压力传感器技术领域。硅压阻芯片包括：硅片，呈片状，所述硅片的第一表面上设置有向其内部凹陷形成的背腔，所述背腔的侧面与所述第一表面之间具有预设角度；至少一个电阻，设置在所述硅片上；至少一个金焊盘，设置在所述硅片与所述第一表面向背的第二表面上，所述金焊盘包括至少一个第一焊盘和至少两个第二焊盘，每一所述第一焊盘由至少两个相互之间具有预设间隙的小焊盘拼接而成，每一所述小焊盘均与至少一个所述第二焊盘连接，且每一所述小焊盘连接的所述第二焊盘均不同。本实用新型专利技术提供的硅压阻芯片灵活性较高、能够减少使用成本。能够减少使用成本。能够减少使用成本。

【技术实现步骤摘要】
一种硅压阻芯片


[0001]本技术涉及压力传感器
，特别是涉及一种硅压阻芯片。

技术介绍

[0002]现有芯片在制作完成后，其上的焊盘数量是一定的，每一个焊盘对应的电阻也是确定的。在一些情况下，不同的应用场景对于电阻的要求不同，而上述现有的焊盘通常无法满足用户不同的要求，灵活性较差。为了解决这一问题，现有技术中在芯片使用时，需要根据实际要求对一些焊盘进行键合，而键合过程中使用的材料昂贵，这增加了使用成本。可见，现有的芯片无法在灵活性和使用成本之间平衡。
[0003]因此，如何提供一种灵活性较高、能够减少使用成本的芯片，成为本领域技术人员亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本技术提供了一种硅压阻芯片，灵活性较高、能够减少使用成本。
[0005]本技术提供了如下方案：
[0006]一种硅压阻芯片，包括：
[0007]硅片，呈片状，所述硅片的第一表面上设置有向其内部凹陷形成的背腔，所述背腔的侧面与所述第一表面之间具有预设角度；
[0008]至少一个电阻，设置在所述硅片上；
[0009]至少一个金焊盘，设置在所述硅片与所述第一表面向背的第二表面上，所述金焊盘包括至少一个第一焊盘和至少两个第二焊盘，每一所述第一焊盘由至少两个相互之间具有预设间隙的小焊盘拼接而成，每一所述小焊盘均与至少一个所述第二焊盘连接，且每一所述小焊盘连接的所述第二焊盘均不同。
[0010]可选地，所述预设角度为90
°
，所述背腔采用干法腐蚀工艺刻蚀得到。
[0011]可选地，所述第一焊盘由两个所述小焊盘拼接而成，且两个小焊盘的形状相同。
[0012]可选地，两个所述小焊盘均为S型且互为首尾相邻。
[0013]可选地，所述金焊盘为方形结构。
[0014]可选地，所述金焊盘通过金线与所述电阻电连接。
[0015]可选地，所述硅片为方形，所述金焊盘设置在所述硅片的角和/或四周上。
[0016]可选地，所述第二焊盘与所述第一焊盘的大小相同。
[0017]根据本技术提供的具体实施例，本技术公开了以下技术效果：
[0018]本技术提供的硅压阻芯片上设置金焊盘，所述金焊盘包括第一焊盘，其由至少两个小焊盘拼接而成，小焊盘之间具有预设间隙，且将每一小焊盘均与至少一个第二焊盘连接。在实际使用时，当需要将某两个第二焊盘合并使用时，仅需要将设置在该两个第二焊盘之间的小焊盘连接即可，通过将小焊盘连接可以使得芯片满足用户的不同要求，既增加了芯片的灵活性，又无需键合，减少了键合材料的使用，降低了成本，因此，可以在灵活性
和使用成本之间平衡。
[0019]进一步地，采用金焊盘，也即金材质制成的焊盘，与铝焊盘相比，金焊盘具有更好的抗氧化性、可靠性及熔点高等优点。
[0020]当然，本技术的实施例并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本技术一个实施例提供的硅压阻芯片的剖面结构示意图；
[0023]图2是本技术一个实施例提供的硅压阻芯片的结构示意图；
[0024]图3是本技术一个实施例提供的硅压阻芯片的第一焊盘的结构示意图。
具体实施方式
[0025]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0026]需要说明的是，本技术关于“左”、“右”、“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”“顶部”“底部”等方向上的描述均是基于附图所示的方位或位置的关系定义的，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所述的结构必须以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0027]在本技术的描述中，除非另有明确规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0028]图1是本技术一个实施例提供的硅压阻芯片的剖面结构示意图。图2是本技术一个实施例提供的硅压阻芯片的结构示意图。如图1所示，同时参见图2，本技术提供了一种硅压阻芯片，其一般性地包括硅片10、至少一个电阻20和至少一个金焊盘30。所述硅片10呈片状，其第一表面11上设置有向其内部凹陷形成的背腔13，所述背腔13的侧面与所述第一表面11之间具有预设角。所述至少一个电阻20设置在所述硅片10上。所述至少一个金焊盘30设置在所述硅片10与所述第一表面11向背的第二表面12上，所述金焊盘30包括至少第一焊盘31和至少两个第二焊盘32，每一所述第一焊盘31由至少两个相互之间具有预设间隙31b的小焊盘31a拼接而成，每一所述小焊盘31a均与至少一个所述第二焊盘32连接，且每一所述小焊盘31a连接的所述第二焊盘均不同。
[0029]上述硅压阻芯片上设置金焊盘30，所述金焊盘30包括第一焊盘31，其由至少两个小焊盘31a拼接而成，小焊盘31a之间具有预设间隙31b，且将每一小焊盘31a均与至少一个
第二焊盘32连接。在实际使用时，当需要将某两个第二焊盘32合并使用时，仅需要将设置在该两个第二焊盘32之间的小焊盘31a连接即可，通过将小焊盘31a连接可以使得芯片满足用户的不同要求，既增加了芯片的灵活性，又无需键合，减少了键合材料的使用，降低了成本，因此，可以在灵活性和使用成本之间平衡。
[0030]常规的芯片采用铝焊盘，一方面，铝本身导电性一般，易氧化形成氧化铝Al2O3。铝和硅在高温(577℃)下会产生共熔现象，容易破坏浅结形成短路，即“铝钉”；另一方面，大规模集成电路里面的铝导线很细长，经常要承受很高密度的电流，内部的铝容易在在电场作用和热作用下扩散，甚至断开，出现“电迁移”现象。为了解决这一问题，本申请采用金焊盘30，也即金材质制成的焊盘，与铝焊盘相比，金焊盘30具有更好的抗氧化性、可靠性及熔点高等优点。
[0031]目前芯片腐蚀的方法主要分为湿法腐蚀和干法腐蚀两种。湿法腐蚀是把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去，湿法腐蚀工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅压阻芯片，其特征在于，包括：硅片，呈片状，所述硅片的第一表面上设置有向其内部凹陷形成的背腔，所述背腔的侧面与所述第一表面之间具有预设角度；至少一个电阻，设置在所述硅片上；至少一个金焊盘，设置在所述硅片与所述第一表面向背的第二表面上，所述金焊盘包括至少一个第一焊盘和至少两个第二焊盘，每一所述第一焊盘由至少两个相互之间具有预设间隙的小焊盘拼接而成，每一所述小焊盘均与至少一个所述第二焊盘连接，且每一所述小焊盘连接的所述第二焊盘均不同。2.根据权利要求1所述的硅压阻芯片，其特征在于，所述预设角度为90
°
，所述背腔采用干法腐蚀工艺刻蚀得到。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈可为，
申请(专利权)人：苏州瞬通半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：