一种半导体应变计及力的检测设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种半导体应变计及力的检测设备，涉及检测技术领域。半导体应变计包括：叠置的衬底层和导电层，所述衬底层的厚度为8～10μm，所述导电层的厚度为2～4μm，所述衬底层上设置有电桥，所述电桥由多个等效电阻构成，所述衬底层采用半导体材料或绝缘材料制成，所述导电层采用硅材料制成；所述导电层为生长在所述衬底层表面上的外延硅层，或，所述导电层为在所述衬底层表面上形成的扩散层或离子注入层。本实用新型专利技术提供的半导体应变计的产品稳定性高。的产品稳定性高。的产品稳定性高。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体应变计及力的检测设备


[0001]本技术涉及检测
，特别是涉及一种半导体应变计及力的检测设备。

技术介绍

[0002]硅通常被用作半导体传感器材料，因为硅的性质稳定，具有高灵敏度输出，并且提纯技术成熟，制作成本低，能够高效的批量制造传感器。硅展示出的一个非常有用的特性就是压阻。这种压阻效应表现当半导体受到应力作用时，由于应力引起能带的变化，能谷的能量移动，使其电阻率发生变化。这种现象在硅中普遍存在，其中电子和空穴的迁移率也很大程度上受到应变的影响。
[0003]目前市面上许多基于硅半导体材料的应变计已经被设计出来了并投入使用。但大多数的应变计是采用单个的大块单晶硅进行一体光刻和刻蚀得到，这样的应变计的厚度不稳定，导致电阻也不稳定。

技术实现思路

[0004]针对上述
技术介绍
提出的技术问题，本技术提供了一种半导体应变计及力的检测设备。
[0005]本技术提供了如下方案：
[0006]第一方面，提供一种半导体应变计，包括：叠置的衬底层和导电层，所述衬底层的厚度为8～10μm，所述导电层的厚度为2～本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体应变计，其特征在于，包括：叠置的衬底层和导电层，所述衬底层的厚度为8～10μm，所述导电层的厚度为2～4μm，所述衬底层上设置有电桥，所述电桥由多个等效电阻构成，所述衬底层采用半导体材料或绝缘材料制成，所述导电层采用硅材料制成；所述导电层为生长在所述衬底层表面上的外延硅层，或，所述导电层为在所述衬底层表面上形成的扩散层或离子注入层。2.根据权利要求1所述的半导体应变计，其特征在于，所述衬底层的电阻率大于10Ω/cm。3.根据权利要求1所述的半导体应变计，其特征在于，所述导电层的电阻率为0.025
‑
0.06Ω/cm。4.根据权利要求1所述的半导体应变计，其特征在于，所述衬底层包括互为平行的第一条形体、第二条形体、第三条形体和第四条形体、连接在所述第一条形体和所述第二条形体之间的第一连接体、连接在所述第三条形体和所述第四条形体之间的...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁月，
申请(专利权)人：苏州瞬通半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：