一种GaN放大器及射频设备制造技术

本申请公开了一种GaN放大器，请涉及射频领域，尤其涉及是一种GaN放大器及射频设备。本申请的GaN放大器包括依次设置在封装底座上的输入管脚、第一电容片、第二电容片、GaN管芯及输出管脚；通过把GaN管芯放置在放大器的输出侧，使GaN管芯布置在距离输出管脚最靠近的位置，可降低GaN管芯与输出管脚的连接线的长度，从而降低输出损耗。从而降低输出损耗。从而降低输出损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种GaN放大器及射频设备


[0001]本申请涉及射频领域，尤其涉及是一种GaN放大器及射频设备。

技术介绍

[0002]现代的无线通信中，射频设备的使用相当普及，而射频放大器在设备中起粉至关重要的作用，其工作频率高，但相对频带较窄，一般都采用选频网络作为负载回路。射频放大器类元器件，主要包括LDMOS(laterally
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diffused metal
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oxide semiconductor，硅横向扩散金属氧化物半导体)射频放大器，GaN(氮和镓)射频放大器，VDMOS等等。其中，GaN(氮和镓)是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体，其具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料，在4G、5G通信系统，工业微波领域中得到了广泛的应用。而在现有的射频放大器中，内部线路容易出现相互耦合，影响射频性能和输出效率。
[0003]因此，针对现有技术中存在的问题，亟需提供一种能降低放大器内部耦合功率的技术显得尤为重要。

技术实现思路

[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GaN放大器，其特征在于，包括：封装底座以及在所述封装底座上从一端到另一端依次设置的输入管脚、第一电容片、第二电容片、GaN管芯及输出管脚；所述GaN管芯的源极与所述封装底座电连接；所述输入管脚依次通过所述第一电容片和第二电容片与GaN管芯的栅极电连接；所述GaN管芯的漏极与输出管脚电连接。2.根据权利要求1所述的一种GaN放大器，其特征在于：所述第二电容片包括第一凹凸电极片和第二凹凸电极片；所述第一凹凸电极片包括第一凸起部；所述第二凹凸电极片包括第二凸起部和第二根部。3.根据权利要求2所述的一种GaN放大器，其特征在于：所述第一凸起部和第二凸起部位置相对，且形状相互匹配。4.根据权利要求3所述的一种GaN放大器，其特征在于：所述第一凸起部和第二凸起部均为波浪型。5.根据权利要求3所述的一种GaN放大器，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯玉玲，
申请(专利权)人：深圳市安芯物联科技有限公司，
类型：新型
国别省市：