一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜制造技术

本发明专利技术提供一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，包括玻璃基板，所述高折射率层的外侧均设置有低折射率层，所述低折射率层的外侧均设置有ITO导电层；所述高折射率层在开孔的外周内嵌设置有第一有机树脂圈层，且所述第一有机树脂圈层厚度是高折射率层厚度的三分之一至二分之一，所述第一有机树脂圈层中分散填充有高折射率粒子，所述低折射率层在开孔的外周内嵌设置有第二有机树脂圈层，所述第二有机树脂圈层中分散填充有低折射率粒子。本发明专利技术提供了触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，能够利用层叠的高折射率层和低折射率层的组合作用，起到消影效果，使得导电膜整体及开孔处都能够具有良好的显示效果。处都能够具有良好的显示效果。处都能够具有良好的显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜


[0001]本专利技术涉及ITO导电膜
，具体为一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜。

技术介绍

[0002]ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium
‑
TinOxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。
[0003]现有技术中，公开号为“CN209328540U”的一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，属于光电玻璃
，包括TG基板、分别镀于TG基板上下表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜表面的二氧化硅膜和分别镀于二氧化硅膜表面的ITO导电层，其中，二氧化硅膜的厚度大于五氧化二铌膜厚度的十倍，五氧化二铌膜的折射率远远大于二氧化硅膜的折射率，进而进而五氧化二铌膜和厚度大于五氧化二铌膜厚度的8倍且小于五氧化二铌膜厚度的10倍的二氧化硅膜相互配合组成消影层，该消影层与ITO导电层相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5％，实现了ITO导电膜的阻值范围为60欧～90欧，可以完全实现消影效果。
[0004]但是，其在使用过程中，仍然存在较为明显的缺陷：上述装置主要为完整的导电膜，但是，根据触摸屏种类和型号的不同，其表面经常会存在开孔，开孔处由于具有高度差，会出现较重的影子，进而影响到显示效果。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0007]一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，包括玻璃基板，所述玻璃基板的两侧对称设置有高折射率层，所述高折射率层的外侧均设置有低折射率层，所述低折射率层的外侧均设置有ITO导电层；
[0008]所述玻璃基板、高折射率层、低折射率层、ITO导电层中贯穿开设有开孔，所述高折射率层在开孔的外周内嵌设置有第一有机树脂圈层，且所述第一有机树脂圈层厚度是高折射率层厚度的三分之一至二分之一，所述第一有机树脂圈层中分散填充有高折射率粒子，所述低折射率层在开孔的外周内嵌设置有第二有机树脂圈层，且所述第二有机树脂圈层厚度是低折射率层厚度的四分之一至二分之一，所述第二有机树脂圈层中分散填充有低折射率粒子。
[0009]优选的，所述玻璃基板的厚度为0.5mm
‑
1.5mm。
[0010]优选的，所述高折射率层的厚度为3nm
‑
18nm，且所述高折射率层为折射率指数在
1.8
‑
2.8的膜层材料，所述高折射率层为二氧化钛、氮化硅、氧化钽、五氧化二铌、氧化铌和氧化钽的混合物其中的一种或多种。
[0011]优选的，所述低折射率层的厚度为25nm
‑
55nm，且所述低折射率层为折射率指数在0.8
‑
1.4的膜层材料，所述低折射率层为氧化硅、氧化硅和氧化铝的任意混合物、氧化硅和氧化磷的混合物其中的一种或多种。
[0012]优选的，所述ITO导电层的厚度为30nm
‑
65nm。
[0013]优选的，所述ITO导电层远离低折射率层的一层均设置有耐磨层，所述耐磨层为含有纳米二氧化钛的混合物，其厚度为1nm
‑
3nm。
[0014]优选的，所述第一有机树脂圈层、第二有机树脂圈层分别为聚氨酯丙烯酸酯、胺改性丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯和纯丙烯酸树脂中的一种或多种。
[0015]优选的，所述高折射率粒子为Nb2O5、ZrO2中的一种或多种粒子。
[0016]优选的，所述低折射率粒子为SiO2粒子。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0018]1、本专利技术的导电膜上开设有开孔，适用于带有开孔的触摸屏，玻璃基板和ITO导电层之间设置有高折射率层和低折射率层，结合具有消影作用，使得显示效果更加优良；
[0019]2、本专利技术高折射率层在开孔的外周内嵌设置有第一有机树脂圈层，第一有机树脂圈层中分散填充有高折射率粒子，低折射率层在开孔的外周内嵌设置有第二有机树脂圈层，第二有机树脂圈层中分散填充有低折射率粒子，由此，可以对开孔处实现更好地消影效果，减轻开孔处的影子，提高显示效果。
[0020]本专利技术提供了触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，能够利用层叠的高折射率层和低折射率层的组合作用，起到消影效果，使得导电膜整体及开孔处都能够具有良好的显示效果。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的整体结构的剖面示意图；
[0022]图2为本专利技术的图1中的A处放大图；
[0023]图3为本专利技术的整体结构的俯视示意图。
[0024]图中：1玻璃基板、2高折射率层、3低折射率层、4ITO导电层、5耐磨层、6开孔、7第一有机树脂圈层、8高折射率粒子、9第二有机树脂圈层、10低折射率粒子。
具体实施方式
[0025]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]请参阅图1至图3，本专利技术提供一种技术方案：
[0027]实施例一：
[0028]一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，包括玻璃基板1，玻璃基板1的厚度为0.5mm，玻璃基板1的两侧对称设置有高折射率层2，高折射率层2的厚度为3nm，且高折射率
层2为折射率指数在1.8的膜层材料，高折射率层2为二氧化钛和氮化硅的混合物，高折射率层2的外侧均设置有低折射率层3，低折射率层3的厚度为25nm，且低折射率层3为折射率指数在0.8的膜层材料，低折射率层3为氧化硅和氧化铝的任意混合物，低折射率层3的外侧均设置有ITO导电层4，ITO导电层4的厚度为30nm。
[0029]玻璃基板1、高折射率层2、低折射率层3、ITO导电层4中贯穿开设有开孔6，高折射率层2在开孔6的外周内嵌设置有第一有机树脂圈层7，且第一有机树脂圈层7厚度是高折射率层2厚度的三分之一，第一有机树脂圈层7中分散填充有高折射率粒子8，高折射率粒子8为Nb2O5，低折射率层3在开孔6的外周内嵌设置有第二有机树脂圈层9，第一有机树脂圈层7、第二有机树脂圈层9均为聚氨酯丙烯酸酯，且第二有机树脂圈层9厚度是低折射率层3厚度的四分之一，第二有机树脂圈层9中分散填充有低折射率粒子10，低折射率粒子10为SiO2粒子。
[0030]实施例二：
[0031]一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，包括玻璃基板1，玻璃基板1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，包括玻璃基板(1)，其特征在于：所述玻璃基板(1)的两侧对称设置有高折射率层(2)，所述高折射率层(2)的外侧均设置有低折射率层(3)，所述低折射率层(3)的外侧均设置有ITO导电层(4)；所述玻璃基板(1)、高折射率层(2)、低折射率层(3)、ITO导电层(4)中贯穿开设有开孔(6)，所述高折射率层(2)在开孔(6)的外周内嵌设置有第一有机树脂圈层(7)，且所述第一有机树脂圈层(7)厚度是高折射率层(2)厚度的三分之一至二分之一，所述第一有机树脂圈层(7)中分散填充有高折射率粒子(8)，所述低折射率层(3)在开孔(6)的外周内嵌设置有第二有机树脂圈层(9)，且所述第二有机树脂圈层(9)厚度是低折射率层(3)厚度的四分之一至二分之一，所述第二有机树脂圈层(9)中分散填充有低折射率粒子(10)。2.根据权利要求1所述的一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，其特征在于：所述玻璃基板(1)的厚度为0.5mm
‑
1.5mm。3.根据权利要求1所述的一种触摸屏用双面镀膜双面消影ITO导电膜，其特征在于：所述高折射率层(2)的厚度为3nm
‑
18nm，且所述高折射率层(2)为折射率指数在1.8
‑
2.8的膜层材料，所述高折射率层(2)为二氧化钛、氮化硅、氧化钽、五氧化二铌、氧化铌和氧化钽的混合物其中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄茜茜，赵琰，张见平，
申请(专利权)人：凯盛信息显示材料黄山有限公司，
类型：发明
国别省市：