【技术实现步骤摘要】
一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜
[0001]本专利技术涉及玻璃镀膜
,具体为一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜。
技术介绍
[0002]ITO导电膜,即氧化铟锡(Indium
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TinOxide)透明导电膜玻璃,多通过ITO导电膜玻璃生产线,在高度净化的厂房环境中,利用平面阴极磁控溅镀技术,在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。但是,在日常使用的过程中,某些情况下需要特别低阻的ITO膜,对于厚度超厚的低阻ITO膜通常颜色不均匀,影子非常重,蚀刻图案非常明显,用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化,蚀刻前后反射差会更大,蚀刻时会产生更重的影子,也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚溅镀的ITO导电膜。换句话说,目前使用的超过50纳米的ITO导电膜,基本没有做消影处理,只能用在特殊情况无消影要求的地方。一般情况下,常
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜,包括沾附在玻璃基板(1)上的消影层(2),且消影层(2)上设置有氧化铟锡层(3),其特征在于:所述消影层(2)和氧化铟锡层(3)间沾附有第一疏水层(4),且氧化铟锡层(3)上因蚀刻形成的凹痕内壁处贴附有第二疏水层(5),所述第二疏水层(5)内填充有伸出凹痕的第一二氧化硅层(6),且氧化铟锡层(3)上设置有与第一二氧化硅层(6)外侧粘连的四氮化三硅层(7),且四氮化三硅层(7)上沾附有第三疏水层(8)。2.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜,其特征在于:所述第一疏水层(4)、第二疏水层(5)和第三疏水层(8)均为聚四氟乙烯膜层结构。3.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜,其特征在于:所述消影层(2)包括五氧化二铌层(21)和第二二氧化硅层(22),且五氧化二铌(21)沾附在第二二氧化硅层(22)和玻璃基板(1)...
【专利技术属性】
技术研发人员:许红灯,赵琰,张见平,
申请(专利权)人:凯盛信息显示材料黄山有限公司,
类型:发明
国别省市:
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