图像传感器及其制备方法技术

本申请涉及一种图像传感器及其制备方法。该图像传感器包括：基底；多个光电元件，间隔排布于基底内；及多个隔离件，位于基底上，多个隔离件围绕形成多个透光区，透光区与光电元件对应设置；其中，隔离件朝向透光区的侧壁上设有隔离件凹槽，使得进入隔离件凹槽的光反射至光电元件。上述图像传感器及其制备方法通过在基底上设置隔离件，并在隔离件设置隔离件凹槽，使进入隔离件凹槽的光线能够反射至位于基底中的光电元件中，由光电元件将光信号转换为电信号，提高了光电元件的感光量。提高了光电元件的感光量。提高了光电元件的感光量。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及其制备方法


[0001]本申请涉及传感器
，特别是涉及图像传感器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）图像传感器技术的发展，出现了背照式CMOS图像传感器，相较于光线从前方照入感光元件的前照式CMOS图像传感器，背照式CMOS图像传感器工作时光线从背部进入，减少了电路晶体管对光线的遮挡，使光线先到达感光元件，能够提高感光元件的感光量。
[0003]为了使背照式CMOS图像传感器获得足够的感光量，传统技术中在背面设置隔离件，能够提高进入光电二极管的入射光量，但仍具有改进空间。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种图像传感器及其制备方法。
[0005]第一方面，本申请提供了一种图像传感器，该图像传感器包括：基底；多个光电元件，间隔排布于基底内；及多个隔离件，位于基底上，多个隔离件围绕形成多个透光区，透光区与光电元件对应设置；其中，隔离件朝向透光区的侧壁上设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：基底；多个光电元件，间隔排布于所述基底内；及多个隔离件，位于所述基底上，多个所述隔离件围绕形成多个透光区，所述透光区与所述光电元件对应设置；其中，所述隔离件朝向所述透光区的侧壁上设有隔离件凹槽，使得进入所述隔离件凹槽的光反射至所述光电元件。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述隔离件上部的宽度大于所述隔离件下部的宽度；所述隔离件凹槽位于所述隔离件的中部，所述隔离件中部的宽度小于所述隔离件上部的宽度及所述隔离件下部的宽度。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括反射层，至少位于所述隔离件朝向所述透光区的侧壁表面。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：多个滤光片，分别位于不同的所述透光区内；多个微透镜，分别位于各所述滤光片的上表面。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：深沟槽隔离结构，位于相邻所述光电元件之间；金属互连层，位于所述基底的下表面，与各所述光电元件均通过晶体管电连接。6.一种图像传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底，所述基底设有多个间隔排布的光电元件；于所述基底上形成多个隔离件，多个所述隔离件围绕形成多个透光区，所述透光区与所述光电元件对应设置；其中，所述隔离件朝向所述透光区的侧壁上...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈维邦，郑志成，詹奕鹏，
申请(专利权)人：合肥新晶集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：