一种高灵敏度图像传感器像素结构制造技术

本发明专利技术公开了一种高灵敏度图像传感器像素结构，包括置于硅基底中的光电二极管、传输管、悬浮节点、复位管、源跟随器、行选通管以及电源，光电二极管采用三个纵向光电二极管，从上到下依次为蓝色像素光电二级管、绿色像素光电二极管、红色像素光电二极管。三个纵向光电二极管间采用P型阱隔离。不同深度的光电二极管采用不同能量的N型离子注入。不同深度的光电二极管收集不同波长的光信号。纵向PD与传统像素的平面PD相比，感光面积增大到原来的四倍，有效的提高了像素感光灵敏度。有效的提高了像素感光灵敏度。有效的提高了像素感光灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
一种高灵敏度图像传感器像素结构


[0001]本专利技术涉及一种图像传感器，尤其涉及一种高灵敏度图像传感器像素结构。

技术介绍

[0002]图像传感器是目前常用的器件。
[0003]如图1、图2所示，现有技术中，传统的图像传感器像素结构中，三个光电二极管Photodiode都是横向平面设置的。
[0004]随着像素尺寸不断的缩小，传统像素结构的灵敏度面临着很大的挑战，对于小于0.6um的像素尺寸，传统像素结构感光灵敏度很低，很难实现常规应用。
[0005]有鉴于此，特提出本专利技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是提供了一种高灵敏度图像传感器像素结构，以解决现有技术中存在的上述技术问题。
[0007]本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的：
[0008]本专利技术的高灵敏度图像传感器像素结构，包括置于硅基底100中的光电二极管110、传输管105、悬浮节点104、复位管106、源跟随器107、行选通管108以及电源109，所述光电二极管110采用三个纵向光电二极管，从上到下依本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高灵敏度图像传感器像素结构，包括置于硅基底(100)中的光电二极管(110)、传输管(105)、悬浮节点(104)、复位管(106)、源跟随器(107)、行选通管(108)以及电源(109)，其特征在于，所述光电二极管(110)采用三个纵向光电二极管，从上到下依次为蓝色像素光电二级管(201)、绿色像素光电二极管(202)、红色像素光电二极管(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈多金，旷章曲，刘志碧，陈杰，龚雨琛，董建新，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：