图像传感器设备制造技术

本公开的各实施例总体上涉及图像传感器设备。一种图像传感器设备包括像素。像素包括具有第一表面的半导体层。光电二极管形成在半导体层中并且被配置为基于到达光电二极管的光生成电荷载流子。存储节点形成在半导体层中，存储节点被布置为使得在光电二极管中生成的电荷载流子被转移到存储节点。遮光结构形成在半导体层中，并且遮光结构至少设置在半导体层的第一表面与储存节点之间，以防止在半导体层中远离第一表面传播的光的至少一部分到达存储节点。存储节点。存储节点。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器设备


[0001]本公开涉及图像传感器设备领域。

技术介绍

[0002]图像传感器设备被广泛使用，例如在消费电子产品或汽车应用的相机中。图像传感器器件的一个主要问题是图像传感器像素中的寄生光灵敏度(PLS)。PLS是像素存储节点的光敏度与光电二极管的光敏度的比值。1/PLS越高，由存储节点提供的读出结果越好。
[0003]PLS由入射在存储节点上的光生成。到达存储节点的光子可以生成电子，该电子将改变在积分时间期间从光电二极管收集的电荷。这种附加电荷(不是来自光电二极管)是引起噪声的主要原因中的一个。
[0004]存在不同方法可以用于保护像素的存储节点免受到达存储节点的光子的影响。这些方法都有不同缺点。较厚的外延层可以提高1/PLS，但可能会导致工艺集成问题。设计措施可以应用于像素布局。然而，这可能导致像素面积的全面增加或影响其他像素属性。例如减少光散射等光学措施将导致像素的量子效率降低。

技术实现思路

[0005]根据本公开的一个方面，一种图像传感器设备包括像素。像素包括具有第一表面的半导体层。光电二极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括像素的图像传感器设备，所述像素包括：半导体层，具有第一表面；光电二极管，形成在所述半导体层中并且被配置为基于到达所述光电二极管的光生成电荷载流子；存储节点，形成在所述半导体层中，所述存储节点被布置为使得在所述光电二极管中生成的电荷载流子被转移到所述存储节点；以及遮光结构，所述遮光结构形成在所述半导体层中，并且至少设置在所述半导体层的所述第一表面与所述存储节点之间，以防止在所述半导体层中远离所述第一表面传播的所述光的至少一部分到达所述存储节点。2.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中所述图像传感器设备是背照式图像传感器设备，所述第一表面是所述入射光在此进入所述半导体层的表面。3.根据权利要求1所述的图像传感器设备，其中所述图像传感器设备是前照式图像传感器设备，所述半导体层具有与所述第一表面相对的第二表面，所述第二表面是所述入射光在此进入所述半导体层的表面。4.根据前述权利要求中一项所述的图像传感器设备，其中所述遮光结构在所述存储节点的至少整个横向延伸部之上在横向方向上延伸。5.根据前述权利要求中一项所述的图像传感器设备，其中所述遮光结构包括掩埋水平狭缝。6.根据权利要求5所述的图像传感器设备，其中所述掩埋狭缝包括布置在所述狭缝的壁上并且被配置为反射入射到所述壁上的入射光的导电涂层。7.根据前述权利要求中一项所述的图像传感器设备，其中所述遮光结构包括一排掩埋腔。8.根据权利要求7所述的图像传感器设备，其中所述一排掩埋腔包括掩埋沟槽，其中每个沟槽被定向在纵向方向上并且所述沟槽彼此横向间隔开。9.根据权利要求7或8所述的图像传感器设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：D，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：