图像传感器电荷信号干扰监测装置及监测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种图像传感器电荷信号干扰监测装置及监测方法，通过图像传感器电荷信号干扰监测装置中电连接的像素监测结构、调节式电源及电压表，能够方便、高效、准确地监测出图像传感器的电荷信号干扰问题，可使用于产品量产工艺工程中，以对产品参数特性和质量品质稳定性进行监控，且可在产品芯片完工前进行测评分析，以及时发现不符合目标标准参数的产品，进行及时的分析处理，寻找原因，提供解决问题的方案，降低损失。因此，本发明专利技术的图像传感器电荷信号干扰监测装置及监测方法可有效节省生产成本及时间成本。产成本及时间成本。产成本及时间成本。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器电荷信号干扰监测装置及监测方法


[0001]本专利技术涉及传感器
，特别是涉及一种图像传感器电荷信号干扰监测装置及监测方法。

技术介绍

[0002]图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号的功能器件。其中，图像传感器包括CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补型金属氧化物半导体)图像传感器和CCD(Charged Coupled Device，电荷耦合器件)图像传感器两种类型，可广泛地应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。
[0003]CCD图像传感器与CMOS图像传感器在不同的应用场景下各有优势，但随着制造CMOS图像传感器工艺和技术的快速发展与不断提升，以及高端CMOS价格的不断下降，CMOS占据越来越重要的地位，人们对CMOS图像传感器的图像品质的输出有了更高的要求。
[0004]在CMOS图像传感器中，设置有感光像素阵列，用来采集图像的光电信号信息，外界的光照射在像素阵列上，会发生光电效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器电荷信号干扰监测装置，其特征在于，所述图像传感器电荷信号干扰监测装置包括：像素监测结构，所述像素监测结构包括半导体基体、电荷传输晶体管、置于所述半导体基体中的光电转换区，其中，所述光电转换区的一侧与所述电荷传输晶体管的源极端相连，所述电荷传输晶体管的漏极端为漂浮扩散有源区，且所述半导体基体中还设置有基体接触区，所述基体接触区与所述半导体基体具有相同的导电类型并接地；调节式电源，所述调节式电源的一端与所述光电转换区相连，所述调节式电源的另一端接地；电压表，所述电压表的一端与所述漂浮扩散有源区相连，所述电压表的另一端接地。2.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述半导体基体中还设置有隔离区，所述隔离区包括第一隔离区、第二隔离区及第三隔离区，其中，所述第一隔离区位于所述漂浮扩散有源区远离所述光电转换区的一侧，所述第二隔离区及所述第三隔离区依次位于所述光电转换区远离所述漂浮扩散有源区的一侧，且所述基体接触区位于所述第二隔离区与所述第三隔离区之间。3.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述调节式电源的电压调节范围包括
‑
1V～1V。4.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述半导体基体及所述基体接触区具有第一离子掺杂类型，所述光电转换区具有第二离子掺杂类型，且所述光电转换区上还设置有第一离子掺杂类型保护层，所述第一离子掺杂类型保护层具有接触开孔，所述调节式电源经由所述接触开孔与所述光电转换区连接。5.根据权利要求1所述的监测装置，其特征在于：所述光电转换区、所述基体接触区及所述漂浮扩散有源区内设置有接触部，通过所述接触部形成欧...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭同辉，
申请(专利权)人：思特威上海电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：