一种像素值改善方法技术

本申请公开了一种像素值改善方法，属于半导体器件及制造领域。该方法在不添加以及优化其他工艺基础上，通过适当减小退火处理温度从而减小金属离子扩散，减少热载流子复合现象，减少暗电流，有效改善暗点现象。有效改善暗点现象。有效改善暗点现象。

【技术实现步骤摘要】
一种像素值改善方法


[0001]本申请涉及半导体器件及制造领域，具体涉及一种像素值改善方法。

技术介绍

[0002]对于CMOS图像传感器(CMOS Image Sensor，CIS)产品，由于存在Pixel区，因此对于电荷异常敏感，暗电流是Pixel在完全遮黑环境下检测到的电流，在正常情况下，未吸收到光能量时，CIS器件的暗电流很小，但受到金属杂质污染后，由于金属离子携带有电荷，如果在迁移过程中经过光电二极管时，就会导致该像素的暗电流变大，主要原因是金属杂质所具有的能级较高，这些缺陷会形成一个个活性很强的能量带，容易引起热载流子复合的现象，当金属杂质被激活后，暗场电流瞬间变大，容易出现白像素(White Pixel，WP)，通常当像素值(DN)大于64，称为WP。
[0003]对于CIS产品，Mo金属污染在PP S/D这一步最为严重，由于荷质比相近，Mo离子无法和BF离子区分，进入Pixel里面形成暗点(Blemish_Fail)，连续的暗点被识别为类似defect的blemish Bin loss(BIN 321)。如图1所示，以5本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素值改善方法，所述方法适用于CIS产品，其特征在于，所述方法包括：进行N/P型源漏极的掺杂离子注入，形成高掺杂浓度的源漏极；进行所述N/P型源漏极的去胶与清洗；进行金属硅化物阻挡层的制程，沉积氧化物层；进行所述源漏极的退火处理，所述掺杂离子激活，所述退火处理的温度降低了预设温度范围。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度范围5～10
°
。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述源漏极的退火温度为1040℃<...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡敏，邱元元，朱作华，郭振强，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：