【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铜镀层的蚀刻方法和设备，尤其涉及在铜镀层上镀敷有第二种涂层材料的铜镀层的蚀刻方法和设备。这样的铜镀层有如印刷电路制作中使用光形成和光激活的卤素基团蚀刻所得的铜镀层，用于印刷电路制作的和集成电路金属镀敷层的底版铜镀层。相当厚的铜镀层或较薄的底层铜镀层上的图案，一直是印刷电路制作技术中所须要的。近来，在集成电路的制作技术中希望能在薄的铜层上形成图案。铝已被成功地普遍用于集成电路技术，从而在集成电路的活性元件之间，或跨越其上而形成导通线路。其部分原因是，人们认识到可以用一些技术容易地在铝上形成图案。但是，正如胡等人在“用于铜的扩散屏障的研究”(1986)IEEE.V-MICConference 1986年6月号9-10，181-187页中所论述的，在集成电路中，铜具有许多优于铝金属镀敷层的长处，如较高的导电性，更好的电迁移阻力，以及较小的能耗。然而，又如该文进一步论述的，铜也比铝能更易扩散入硅中。不过，此问题已由在硅和集成电路的其它镀敷层以及铜金属镀敷层之间使用一扩散屏障而得以满意地解决。现有的铜膜的图形蚀刻如下完成在印刷电路的制作中，以湿法加工;...
【技术保护点】
一种在密闭的小室内对基片上的铜层作各向导性蚀刻，以形成具图案的导体的蚀刻方法，它包括以下步骤：对所说的铜层的不企图被蚀刻的区域作屏框掩蔽；在密闭小室中引进卤素游离基团至所说的铜层上，以在所说的卤素游离基团被高强光照射后，形成一铜卤化 物的反应产物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒙特A道格拉斯，
申请(专利权)人：德克萨斯仪器股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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