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本发明公开了一种可用于集成电路制作的铜层蚀刻的蚀刻方法，该方法使用了卤化物与铜反应，最好使用高强的紫外光的光激能和光定向辅助，以生成或具挥发性的、或易用溶液清洗的产物。本方法为各向异性的。...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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