【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
，例如在制造印刷电路板、阴极射线管的荫罩和叫做“引线框架”的半导体元件时，都采用刻蚀工艺。按惯例，这种加工方法是在需要把材料加工成复杂的图形时使用的。本专利申请通过介绍制造引线框架的一种方法来说明刻蚀形成图形的方法，作为在各种
应用这种方法的一个例子。引线框架是半导体器件的一个必不可少的部分，其作用是将半导体器件的电信号传送给外部电路，并作为独立部件以机械支撑半导体器件。通常，引线框架由底座、内引线和外引线构成，底座支撑着半导体芯片，内引线焊接到半导体芯片，外引线则用以将内引线与外部电路连接起来。用周知的刻蚀方法制造引线框架时，将光致抗蚀剂淀积在基片表面，用掩模曝光后进行显影，从而形成光致抗蚀图形。最后用刻蚀剂以光致抗蚀图形作为刻蚀掩模，通过刻蚀基片的经曝光的部分以形成引线框架。这时通常以恒定压力将刻蚀剂喷涂到引线框架基片的上下表同。附图说明图1中的流程图示出了现有技术制造引线框架的方法，光致抗蚀剂(光敏聚合物树脂)涂敷到预处理过的金属基片上以便形成图形。通常，光致抗蚀剂按种类可分成液体光致抗蚀剂和干式光致抗蚀剂。前者是将水溶性树脂(例如酪素树脂或聚氯...
【技术保护点】
一种图形形成法，其特征在于，它包括下列工序： 在基板上形成不溶于刻蚀溶液的金属电镀薄膜； 在所述电镀薄膜上形成光致抗蚀薄膜； 用预定的光掩模图形将所述光敏薄膜曝光然后显影，由此形成光致抗蚀图形； 用所述光致抗蚀图形作为掩模制造电镀薄膜图形； 清除光致抗蚀图形； 用所述电镀薄膜图形作为刻蚀掩模刻蚀所述基片；然后 清除电镀薄膜图形。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李相均，
申请(专利权)人：三星航空产业株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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