陶瓷电路基板制造技术

一种陶瓷电路基板，其特征在于：通过含有从Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ和Ｔａ中选出的至少一种活性金属的、以Ａｇ为主体的Ａｇ－Ｃｕ类钎料焊料层将陶瓷基板和金属电路板接合在一起而形成，其中上述Ａｇ－Ｃｕ类钎料焊料层与陶瓷基板反应而生成的反应生成层的维氏硬度在１１００以上。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用钎料焊料将金属电路板接合到陶瓷基板上的陶瓷电路基板，特别是涉及一种金属电路板的接合强度大、并且耐热循环特性良好、可靠性高的陶瓷电路基板。
技术介绍
迄今为止，将具有导电性的金属电路板接合到氧化铝(Al2O3)烧结体等绝缘性良好的陶瓷基板的表面上而形成为一个整体的陶瓷电路基板已得到广泛的普及，将其作为半导体装置的构成部件来使用。迄今为止，作为将陶瓷基板与金属电路板接合形成为一个整体的方法，采用高熔点金属法(金属化)法、直接接合法、活性金属法等。高熔点金属法是将Mo、W等高熔点金属烧接到陶瓷基板表面上的方法；直接接合法是将金属电路板成分与氧的共晶液相作为粘合剂，在不使用钎料焊料等的情况下通过加热直接将金属电路板接合到陶瓷基板表面上的方法；活性金属法是通过含有Ti等活性金属的钎料焊料将金属电路板与非氧化物类的陶瓷基板接合为一个整体的方法。为了得到需要特别高强度、良好密合性以及可靠性的陶瓷电路基板，在上述接合法中一般使用活性金属法。上述陶瓷电路基板一方面要求作为结构强度基础的高接合强度，另一方面，为了保持一种能足以耐受热循环的结构，在冷热循环试验(TCT)中有必要抑制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：那波隆之，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：