兆声辅助的研磨盘及研磨总成制造技术

本发明专利技术提供一种兆声辅助的研磨盘及研磨总成。兆声辅助的研磨盘包括：研磨盘本体，其第一表面开设有容纳槽；上盘，覆盖研磨盘本体的第一表面，并与研磨盘本体可拆卸连接；兆声发生器；换能器，设置于容纳槽内，并与兆声发生器电连接；匹配层，在容纳槽内与换能器朝向上盘的一侧表面固定连接，并与上盘抵接；传动轴，与研磨盘本体固定连接；驱动组件，与传动轴驱动连接，驱动传动轴转动。采用本发明专利技术，借助兆声带动研磨盘本体及其上固定的研磨垫高频振动，则研磨垫窠室里的研磨液高频振动，在更小流量的情况下达到传统研磨液大流量所能达到的研磨效果，同时研磨垫窠室里的大颗粒杂质在高频振动和研磨液微流动的作用下离开研磨垫，减少晶圆刮伤。圆刮伤。圆刮伤。

【技术实现步骤摘要】
兆声辅助的研磨盘及研磨总成


[0001]本专利技术涉及半导体集成电路芯片制造
，具体涉及一种兆声辅助的研磨盘及研磨总成。

技术介绍

[0002]近二十年来，半导体工业随摩尔定律飞速发展，集成电路特征尺寸不断缩小。导线宽度从0.18μm到5/7nm标志着集成电路己经进入到了纳米级时代。纳米级芯片要求高性能、高集成度、高速度、稳定性，集成电路互连各层材料的平坦度要求也随之进入纳米级别。
[0003]现代集成电路晶圆中各层材料沉积的技术包含物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)和电化学电镀(ECP)等。由于沉积技术本身的技术限制，后续要对沉积材料表面进行平坦化处理。平坦化技术可有效移除材料沉积过程中不符合电路需求的表面形貌和表面缺陷，例如高度不平，表面粗糙、材料聚结、晶格损坏、刮痕和污染等。化学机械平坦化或化学机械抛光(CMP)是一种用以抛光或平坦化工件(例如半导体晶圆)的常见技术。在传统化学机械抛光(CMP)中，晶圆固定于研磨头上，研磨盘上固定研磨垫，研磨时，晶圆与研磨垫直接接触，二者本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种兆声辅助的研磨盘，其特征在于，包括：研磨盘本体，所述研磨盘本体的第一表面开设有容纳槽；上盘，所述上盘覆盖所述研磨盘本体的第一表面，并与所述研磨盘本体可拆卸连接；兆声发生器；换能器，所述换能器设置于所述容纳槽内，并与所述兆声发生器电连接；匹配层，所述匹配层在所述容纳槽内与所述换能器朝向所述上盘的一侧表面固定连接，并与所述上盘抵接；传动轴，所述传动轴与所述研磨盘本体固定连接；驱动组件，所述驱动组件与所述传动轴驱动连接，驱动所述传动轴转动。2.根据权利要求1所述的兆声辅助的研磨盘，其特征在于，还包括：研磨垫，所述研磨垫与所述上盘背向所述容纳槽的一侧表面固定连接。3.根据权利要求2所述的兆声辅助的研磨盘，其特征在于：所述研磨垫朝向所述上盘的一侧表面设置有胶粘层，所述研磨垫与所述上盘胶粘连接。4.根据权利要求1
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3任一项所述的兆声辅助的研磨盘，其特征在于，还包括：用于监测晶圆表面膜层厚度的终点检测装置，所述终点检测装置设置于所述容纳槽内。5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙勇，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：