【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种集成电路封装方法，尤其是一种。现今TAB-BGA型集成电路封装电路板的制法而论，基本如图4A～I所示，图中所示为3M公司典型的制程，首先是在图4A的聚亚酰胺膜90(POLYIMIDE)基材上方通过溅镀方式(PVD或CVD)形成薄厚度的溅镀铜91，以形成一含薄铜层的聚亚酰胺膜，然后为如图4B所示，表面以电镀方式覆盖一薄厚度的电镀铜92，之后，为如图4C所示，于顶底面处压合干膜以及通过曝光和显影的步骤，而形成位于顶底面呈多个具缺口的块状干膜93，其次，则为如图4D所示，于顶部位置进行电镀铜的步骤，以形成位于各于膜93之间的较厚电镀铜94，其次，则为如图4E所示，对聚亚酰胺膜90进行蚀刻的步骤，而形成供后续进行植入锡球的锥度孔97，而后，为如图4F所示，进行电解电镀镍及电解电镀铬的步骤，令位于上表面的较厚电镀铜94以及底部的锥度孔97处形成电解电镀镍和电镀铬层96，之后，为去除顶底层的干膜93而形成如图4G的型式，并经蚀刻铜层的步骤，对图4G内部夹层位置的电镀铜92以及溅镀铜91蚀刻，而转变为如图4H的型态，最后，则为对底部的各锥度孔97位置进行...
【技术保护点】
一种卷带自动焊接球阵式集成电路封装方法，其特征在于包括下列步骤：取用含有双面薄铜的聚亚酰胺膜作为基材；对基材双面进行第一干膜的压合、曝光和显影，而仅令上表面形成缺口；为在第一干膜未覆盖的上表面处依次进行电镀铜、电镀镍、电镀金以及 电镀镍等多层电镀；去除第一干膜；对基材双面进行第二干膜的压合、曝光和显影，而仅令下表面形成缺口；运用第二干膜为遮罩，以对下层薄铜进行蚀刻；运用下层薄铜作为遮罩，对基材的聚亚酰胺膜部位进行激光蚀刻，藉薄铜的阻挡以及激光能量的控 制，形成未贯通的孔洞图形；在基材上表面压合第三干膜，以保护上表面电镀层；...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡维人，
申请(专利权)人：华通电脑股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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