集成电路基板通孔的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电路基板通孔的制造方法，其步骤包括：提供一电路基板，形成若干通孔结构；舍弃现有填充材塞孔方式，而改为选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式、金属蒸镀及其组合的其中一种方式对各该通孔结构进行塞孔，而形成通孔，进行平坦化；覆上一金属层，定义出若干电路层；在所述电路基板的至少一表面外覆上一介电层，于所述介电层对应于通孔的位置上定义出导通孔位置处；选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式、金属蒸镀及其组合的其中一种方式在所述介电层的表面覆上一金属层，并填住介电层上的各该导通孔位置处，以形成完整的导通孔。最后对电路基板最外围的金属层进行平坦化。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，特别是涉及选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式、金属蒸镀及其组合的其中一种方式对各通孔结构进行塞孔，并填住介电层上的各该导通孔位置处及线路位置处形成导通孔(via)的。请参阅附图说明图1A至图1E所示，为现有技术于集成电路基板进行通孔的制造方法，其步骤包括(a)提供一基材作为集成电路基板10的主体，在该集成电路基板10的上、下侧表面分别覆上有上、下金属层11、12，以作为后续定义电路布局的用；(b)在集成电路基板10表面预定位置处定位出通孔位置，以机械钻孔等方式打穿，形成多个贯穿该集成电路基板10的通孔13；(c)在上述通孔13的内侧表面上镀上一层完整面铜14，以形成具导通作用的导通孔13a(Plate Through Hole，简称PTH)； (d)对集成电路基板10的上、下侧表面的上、下金属层11、12依所设计的电路布局态样进行微影、蚀刻等步骤，以定义出上、下电路层11a、12a(e)以填充材如缘漆等材质，对所述各导通孔13a进行塞孔，以形成完整的导电栓14结构。最后通常会再以将保护层(图中未示)覆盖于集成电路基板10的上、下电路层11a、12a表面作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路基板通孔的制造方法，其步骤包括： （ａ）提供一电路基板，形成若干通孔结构； （ｂ）选择以金属喷射方式（ｍｅｔａｌ ｓｐｒａｙ）、金属气相沉积方式（ｍｅｔａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）及其组合的其中一种方式对各该通孔结构进行塞孔，而形成通孔（ｔｈｒｏｕｇｈ ｈｏｌｅ）； （ｃ）在所述电路基板的至少一表面外覆上一介电层； （ｄ）于所述介电层对应于通孔的位置及线路的位置上定义出导通孔（ｖｉａ）位置处； （ｅ）选择以金属喷射方式、金属气相沉积方式及其组合的其中一种方式在所述介电层的表面覆上一金属层，并填住介电层上的各该导通孔位置处，以形成完整...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：宫振越，何昆耀，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]