电路装置及其制造方法制造方法及图纸

一种电路装置，其特征在于，包括：第一导电图案，其由第一分离槽分离；第二导电图案，其比所述第一导电图案更薄地形成，且由第二分离槽分离；固定在所述第一导电图案上的第一电路元件和固定在所述第二导电图案上的第二电路元件；绝缘性树脂，露出所述两导电图案背面，覆盖所述电路元件及所述导电图案，并被填充在所述两分离槽中。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别是涉及通过较厚地形成安装比较薄的元件的导电图案，并较薄地形成安装具有厚度的电路元件的导电图案可将装置整体减薄的。
技术介绍
近年来，由于设置在电子设备中的电路装置被使用在手机、笔记本电脑等中，因而谋求小型化、薄型化及轻量化。例如，作为电路装置以半导体装置为例说明时，作为一般的半导体装置，最近开发了被称为CSP(芯片尺寸模块)的和芯片尺寸相同的晶片级CSP或比芯片尺寸大若干尺寸的CPS。图13显示作为支承衬底采用玻璃环氧树脂衬底5的，比芯片尺寸大若干的CSP66。在此说明在玻璃环氧树脂衬底65上安装有晶体管芯片T的情况。在该玻璃环氧树脂衬底65表面形成第一电极67、第二电极68及垫板69，在背面形成第一背面电极70和第二背面电极71。所述第一电极67和第一背面电极70、第二电极68和第二背面电极71介由通孔TH电连接。另外，在垫板69上固定所述裸的晶体管芯片T，并介由金属细线72将晶体管发射极和第一电极67连接，介由金属细线72将晶体管基极和第二电极68连接。另外，在玻璃环氧树脂衬底65上设置树脂层73，以覆盖晶体管芯片T。所述CSP66采用玻璃环氧树脂衬底65，但和晶片级CSP不同，自芯片T至外部连接用背面电极70、71的延伸结构简单，具有可廉价制造的优点。但是，上述的CSP66中，将玻璃环氧树脂衬底65作为附加衬底使用，因此，CSP66的小型化及薄型化有限。由此，开发了图14所示不需要安装衬底的电路装置80(例如，参照专利文献1)。参照图14，电路装置80包括导电图案81；电路元件82，其固定在导电图案81上；金属细线84，其电连接电路元件82和导电图案81；绝缘性树脂83，露出导电图案81的背面，覆盖电路元件82、电路元件82及导电图案81。从而，电路装置80形成不需要安装衬底的结构，当和CSP66比较时，薄型且小型地形成。专利文献1特开2002-076246号公报(第7页、图1)
技术实现思路
但是，在所述的电路装置80中，导电图案81的厚度被相同地形成。从而，在将厚度不同的多种电路元件82固定在导电图案81上时，绝缘性树脂83也形成得很厚，以覆盖具有厚度的电路元件82。因此，电路装置80整体很厚地形成，电路装置的轻量化、小型化有限。另外，当为了装置的薄型化减薄导电图案81时，在电路元件82为伴随发热的元件时，具有瞬态热阻增大的问题。本专利技术是鉴于所述的问题而开发的，本专利技术的主要目的在于，提供即使在内装比较厚的电路元件时也可以抑制电路装置整体厚度的增加的。本专利技术的电路装置包括第一导电图案，其较厚地形成，由第一分离槽分离；第二导电图案，其比所述第一导电图案更薄地形成，且由第二分离槽分离；固定在所述第一导电图案上的第一电路元件及固定在所述第二导电图案上的第二电路元件；绝缘性树脂，露出所述两导电图案的背面，覆盖所述电路元件及所述导电图案，并被填充在所述两分离槽中。本专利技术的电路装置包括第一导电图案，其较厚地形成，由第一分离槽分离；第二导电图案，其比所述第一导电图案更薄地形成，且由第二分离槽分离，构成微细配线；电路元件，其固定在所述第一导电图案上；绝缘性树脂，露出所述两导电图案的背面，覆盖所述电路元件及所述导电图案，并被填充在所述两分离槽中。本专利技术的电路装置的制造方法包括如下工序准备导电箔，在所述导电箔表面涂敷第一抗蚀剂的工序；在形成第一导电图案的区域保留所述第一抗蚀剂进行蚀刻，形成分离所述第一导电图案的第一分离槽，并将形成第二导电图案的区域的所述导电箔同样地刻蚀的工序；至少将形成所述第一导电图案的上面及所述第二导电图案的区域的所述导电箔表面由第二抗蚀剂覆盖来进行蚀刻，较深地形成所述第一分离槽，并形成分离所述第二导电图案的第二分离槽的工序；将电路元件固定在所述第一导电图案及所述第二导电图案两方或任意一方上的工序；形成绝缘性树脂，以覆盖所述电路元件，并填充所述两分离槽中的工序；除去所述导电箔背面，直至露出填充在所述两分离槽中的绝缘性树脂的工序。比第一导电图案更薄地形成第二导电图案，通过在第二导电图案上固定厚的电路元件，可较薄地形成装置整体。另外，通过在较厚地形成的第一导电图案上固定伴随发热的元件，可减小瞬态热阻。附图说明图1是说明本专利技术电路装置的剖面图(A)、平面图(B)；图2是说明本专利技术电路装置的剖面图；图3是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图；图4是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图；图5是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图；图6是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图；图7是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图8是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图9是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图10是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图11是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图12是说明本专利技术电路装置的制造方法的剖面图(A)、剖面图(B)；图1 3是说明现有电路装置的剖面图；图14是说明现有电路装置的剖面图。具体实施例方式说明电路装置结构的第一实施例参照图1，电路装置10A包括第一导电图案11A，其较厚地形成，由第一分离槽16A分离；第二导电图案11B，其比所述第一导电图案11A更薄地形成，且由第二分离槽16B分离；固定在第一导电图案11A上的第一电路元件12A及固定在第二导电图案11B上的第二电路元件12B；绝缘性树脂13，露出两导电图案11的背面，覆盖电路元件12及导电图案11，并填充两分离槽16中。以下祥述这样的结构。图1(A)是电路装置10A的剖面图，图1(B)是其平面图。第一导电图案11A考虑焊剂的黏附性、接合性及镀敷性选择其材料，材料采用以Cu为主材料的导电箔、以Al为主材料的导电箔或Fe-Ni等合金构成的导电箔等。在此，第一导电图案11A形成露出背面并埋入绝缘性树脂13中的结构，通过第一分离槽16A电分离。第一导电图案11A的厚度形成得比第二导电图案11B厚，例如形成在140um以上。另外，在由绝缘性树脂13露出的第一导电图案11A的背面设置由焊锡等焊剂构成的外部电极15。另外，第一导电图案11A利用第一分离槽16A电分离。而后，在第一分离槽16A的侧部至少设置一个蜂腰部17，因此，第一导电图案11A和绝缘性树脂13的粘附变得很牢固。在此，第一导电图案11A形成上面安装第一电路元件的岛及介由金属细线14和第一电路元件12A电连接的焊盘。另外，装置背面未设置外部电极15的位置由抗蚀剂16覆盖。第二导电图案11B由和所述的第一导电图案11A相同的材料构成，并形成得比第一导电图案11A更薄。另外，由于第一导电图案11A的背面和第二导电图案11B的背面在同一平面上，因此，第一导电图案11A的表面形成比第二导电图案11B的表面更高。在此，在第二导电图案11B上面固定具有厚度的第二电路元件12B，另外，也可以构成微细的配线部。另外，第二导电图案11B的具体厚度为例如50um左右。另外，第一导电图案11A和第二导电图案11B也可以介由配线部电连接。第一电路元件12A在此采用半导体元件，由面朝上结合法固定在由第一导电图案11A构成的岛上。第一电路元件12A的电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚优助，高草木宣久，坂野纯，坂本则明，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，关东三洋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：