功率MOSFET及其应用装置和制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出了小型且内阻小的功率ＭＯＳＦＥＴ和安装面积小的功率ＭＯＳＦＥＴ应用装置以及制造容易的功率ＭＯＳＦＥＴ的制造方法。在半导体基板的相向主面上配置源端子层、栅端子层、漏端子层。这些端子层以具有在各个主面的面积内所能容纳的大小的方式被配置在各个主面上并与源电极、栅电极、漏电极结合。该功率ＭＯＳＦＥＴ使其各个主面与电路基板大致正交而被安装在电路基板上。在半导体晶片阶段，功率ＭＯＳＦＥＴ用分离端子板的工序或者在源电极、栅电极、漏电极上用蒸镀金属层的方法形成源端子层、栅端子层、漏端子层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率MOSFET和应用了它的功率MOSFET应用装置以及功率MOSFET的制造方法。
技术介绍
一般，在功率MOSFET中，在半导体衬底的一个主面上配置源电极和栅电极，在半导体衬底的另一主面上配置漏电极。通过将该漏电极结合到引线框架的管芯键合区来安装该功率MOSFET。该引线框架的管芯键合区形成漏端子，并且，引线框架包含与管芯键合区电隔离的源端子和栅端子。通过细金属丝将功率MOSFET的源电极和栅电极连接到源端子和栅端子上。为了减小导通电阻，通过多条细金属丝将源电极连接到源端子上。在特开2002-359332号专利公报的图17上表示出组装了包含纵型MOS晶体管的半导体芯片的半导体封装。在该半导体封装中，为降低金属丝的布线电阻，通过多条Au丝将芯片上的金属电极连接到引线上。现说明在这种场合下越增加电极焊区数，增加Au丝的连接条数，组装工序的指标就越增加；且由于金属丝长度的关系，进一步降低布线电阻变得困难的情况。另外，在特开2002-359332号专利公报的图1上表示出将由导电条组成的引线结合到半导体芯片上的凸点接头上的结构。因为由该导电条组成的引线直接结合到凸点接头上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率ＭＯＳＦＥＴ，其特征在于：包括：在相向的一方的主面上具有源电极和栅电极而在另一方的主面上具有漏电极的半导体衬底；在上述一方的主面上配置并结合到上述源电极上的源端子层；在上述一方的主面上配置并结合到上述栅电极上的栅端子层；以及 在上述另一方的主面上配置并结合到上述漏电极上的漏端子层，上述源端子层和栅端子层在上述一方的主面上以该主面的面积内所能容纳的大小被配置，并且，上述漏端子层也以在上述另一方的主面上以该主面的面积内所能容纳的大小被配置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：福原和矢，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，
类型：发明
国别省市：JP[日本]