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本发明提出了小型且内阻小的功率ＭＯＳＦＥＴ和安装面积小的功率ＭＯＳＦＥＴ应用装置以及制造容易的功率ＭＯＳＦＥＴ的制造方法。在半导体基板的相向主面上配置源端子层、栅端子层、漏端子层。这些端子层以具有在各个主面的面积内所能容纳的大小的方式被配置...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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