半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体器件，包括：衬底，包括沟槽隔离结构围成的有源区，源极区和漏极区分别形成于所述有源区中；栅极层，包括主栅和与所述主栅连接的扩展栅，所述主栅形成于所述有源区上，所述扩展栅形成于所述沟槽隔离结构上；源/漏导电插塞，形成于所述源极区和所述漏极区上上；栅极导电插塞，形成于所述扩展栅上，所述栅极导电插塞的横截面积大于所述源/漏导电插塞的横截面积。本实用新型专利技术的技术方案使得在器件尺寸减小的同时，还能避免低噪声放大器的噪声增大。噪声放大器的噪声增大。噪声放大器的噪声增大。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]噪声是低噪声放大器的一个重要参数。在低噪声放大器LNA(Low Noise Amplifier)中，栅极层包括主栅和扩展栅，主栅位于有源区上，扩展栅位于沟槽隔离结构上，有源区中形成有源极区和漏极区；每个扩展栅上形成有至少两个栅极导电插塞，有源区上也形成多个源/漏导电插塞，且扩展栅和有源区上的每个导电插塞的横截面积和形状相同。其中，随着器件尺寸做得越来越小，要求栅极层的尺寸减小，那么，扩展栅的尺寸也要减小，导致扩展栅上形成的导电插塞的数量需要减少，进而导致栅电阻增大，从而导致低噪声放大器的噪声增大。
[0003]因此，如何在器件尺寸减小的同时，还能避免低噪声放大器的噪声增大是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种半导体器件，使得在器件尺寸减小的同时，还能避免低噪声放大器的噪声增大。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了一种半导体器件，包括：
[0006]衬底，包括沟槽隔本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括沟槽隔离结构围成的有源区，源极区和漏极区分别形成于所述有源区中；栅极层，包括主栅和与所述主栅连接的扩展栅，所述主栅形成于所述有源区上，所述扩展栅形成于所述沟槽隔离结构上；源/漏导电插塞，形成于所述源极区和所述漏极区上；栅极导电插塞，形成于所述扩展栅上，所述栅极导电插塞的横截面积大于所述源/漏导电插塞的横截面积。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源/漏导电插塞为多个，所述栅极导电插塞为至少一个，每个所述栅极导电插塞的横截面积大于每个所述源/漏导电插塞的横截面积。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极层的俯视面的形状为长方形。4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽隔离结构的顶面与所述衬底的顶面齐平或高于所述衬底的顶面。5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源/漏导电插塞与所述栅极导电插塞...

【专利技术属性】
技术研发人员：李乐，周俊，杨道虹，薛广杰，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：新型
国别省市：